Продукція > ONSEMI > NTMYS1D2N04CLTWG
NTMYS1D2N04CLTWG

NTMYS1D2N04CLTWG onsemi

ntmys1d2n04cl-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs T6 40V LL LFPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMYS1D2N04CLTWG onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 44A/258A LFPAK4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 258A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 134W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA, Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6330 pF @ 20 V.

Інші пропозиції NTMYS1D2N04CLTWG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTMYS1D2N04CLTWG NTMYS1D2N04CLTWG onsemi ntmys1d2n04cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 44A/258A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 258A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6330 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS1D2N04CLTWG NTMYS1D2N04CLTWG onsemi ntmys1d2n04cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 44A/258A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 258A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6330 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS1D2N04CLTWG ONSEMI ntmys1d2n04cl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 258A; Idm: 900A; 67W; LFPAK56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 258A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 67W
Case: LFPAK56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS1D2N04CLTWG ntmys1d2n04cl-d.pdf
NTMYS1D2N04CLTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 44A/258A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 258A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6330 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS1D2N04CLTWG ntmys1d2n04cl-d.pdf
NTMYS1D2N04CLTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 44A/258A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 258A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6330 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS1D2N04CLTWG ntmys1d2n04cl-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 258A; Idm: 900A; 67W; LFPAK56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 258A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 67W
Case: LFPAK56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.