Продукція > ONSEMI > NTMYS2D2N06CLTWG
NTMYS2D2N06CLTWG

NTMYS2D2N06CLTWG onsemi

ntmys2d2n06cl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 31A/185A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.93 грн
10+163.84 грн
100+132.53 грн
500+110.56 грн
1000+94.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMYS2D2N06CLTWG onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 31A/185A LFPAK4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 185A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 134W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA, Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NTMYS2D2N06CLTWG за ціною від 96.37 грн до 217.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMYS2D2N06CLTWG NTMYS2D2N06CLTWG Виробник : onsemi ONSM_S_A0009678544_1-2560566.pdf MOSFET TRENCH 6 40V SL NFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.15 грн
10+179.36 грн
25+151.55 грн
100+126.54 грн
250+122.12 грн
500+112.56 грн
1000+96.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS2D2N06CLTWG Виробник : ON Semiconductor ntmys2d2n06cl-d.pdf Power MOSFET 60 V, 2.0 mW, 185 A, Single N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS2D2N06CLTWG Виробник : ONSEMI ntmys2d2n06cl-d.pdf NTMYS2D2N06CLTWG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS2D2N06CLTWG NTMYS2D2N06CLTWG Виробник : onsemi ntmys2d2n06cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 31A/185A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.