NTMYS3D3N06CLTWG onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 26A/133A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 222.45 грн |
| 10+ | 139.57 грн |
| 100+ | 96.98 грн |
| 500+ | 73.90 грн |
| 1000+ | 68.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMYS3D3N06CLTWG onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 26A/133A LFPAK4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NTMYS3D3N06CLTWG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMYS3D3N06CLTWG | onsemi |
MOSFETs 60V 3.0mOhms 133A Single N-Channel |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTMYS3D3N06CLTWG |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V 3.0mOhms 133A Single N-Channel
MOSFETs 60V 3.0mOhms 133A Single N-Channel
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)