Продукція > ONSEMI > NTMYS8D0N04CTWG
NTMYS8D0N04CTWG

NTMYS8D0N04CTWG onsemi

ntmys8d0n04c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 16A/49A 4LFPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
на замовлення 2712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
201+98.51 грн
Мінімальне замовлення: 201
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMYS8D0N04CTWG onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 16A/49A 4LFPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA, Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NTMYS8D0N04CTWG за ціною від 147.47 грн до 233.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTMYS8D0N04CTWG NTMYS8D0N04CTWG Виробник : onsemi NTMYS8D0N04C_D-2319438.pdf MOSFET 40V 49A 8.1Ohm Single N-Channel
на замовлення 2281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+233.27 грн
10+ 207.02 грн
25+ 174.7 грн
100+ 147.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMYS8D0N04CTWG NTMYS8D0N04CTWG Виробник : onsemi ntmys8d0n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 16A/49A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
товар відсутній
NTMYS8D0N04CTWG NTMYS8D0N04CTWG Виробник : onsemi ntmys8d0n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 16A/49A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
товар відсутній