Продукція > ONSEMI > NTNS0K8N021ZTCG
NTNS0K8N021ZTCG

NTNS0K8N021ZTCG onsemi

ntns0k8n021z-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 220MA 3XDFN
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+21.59 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTNS0K8N021ZTCG onsemi

Description: ONSEMI - NTNS0K8N021ZTCG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 220 mA, 0.8 ohm, XDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 220mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: XDFN, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NTNS0K8N021ZTCG за ціною від 19.51 грн до 50.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTNS0K8N021ZTCG NTNS0K8N021ZTCG onsemi ntns0k8n021z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 220MA 3XDFN
на замовлення 37232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.80 грн
10+43.14 грн
100+33.06 грн
500+24.52 грн
1000+19.62 грн
2000+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS0K8N021ZTCG NTNS0K8N021ZTCG onsemi NTNS0K8N021Z_D-2319291.pdf MOSFET T1 XDFN3L 0.62X0.42 MM
на замовлення 6560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS0K8N021ZTCG NTNS0K8N021ZTCG ONSEMI ntns0k8n021z-d.pdf Description: ONSEMI - NTNS0K8N021ZTCG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 220 mA, 0.8 ohm, XDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: XDFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS0K8N021ZTCG NTNS0K8N021ZTCG ONSEMI ntns0k8n021z-d.pdf Description: ONSEMI - NTNS0K8N021ZTCG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 220 mA, 0.8 ohm, XDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: XDFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS0K8N021ZTCG ON Semiconductor ntns0k8n021z-d.pdf
на замовлення 7920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS0K8N021ZTCG ntns0k8n021z-d.pdf
NTNS0K8N021ZTCG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 220MA 3XDFN
на замовлення 37232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.80 грн
10+43.14 грн
100+33.06 грн
500+24.52 грн
1000+19.62 грн
2000+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS0K8N021ZTCG NTNS0K8N021Z_D-2319291.pdf
NTNS0K8N021ZTCG
Виробник: onsemi
MOSFET T1 XDFN3L 0.62X0.42 MM
на замовлення 6560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS0K8N021ZTCG ntns0k8n021z-d.pdf
NTNS0K8N021ZTCG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTNS0K8N021ZTCG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 220 mA, 0.8 ohm, XDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: XDFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS0K8N021ZTCG ntns0k8n021z-d.pdf
NTNS0K8N021ZTCG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTNS0K8N021ZTCG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 220 mA, 0.8 ohm, XDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: XDFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS0K8N021ZTCG ntns0k8n021z-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 7920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.