на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8000+ | 22.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTNS0K8N021ZTCG onsemi
Description: ONSEMI - NTNS0K8N021ZTCG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 220 mA, 0.8 ohm, XDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 220mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: XDFN, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NTNS0K8N021ZTCG за ціною від 14.20 грн до 53.00 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTNS0K8N021ZTCG | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: XDFN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 4790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NTNS0K8N021ZTCG | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: XDFN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 4790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NTNS0K8N021ZTCG | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 6560 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTNS0K8N021ZTCG | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 37232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NTNS0K8N021ZTCG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7920 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |