Продукція > ONSEMI > NTNS0K8N021ZTCG
NTNS0K8N021ZTCG

NTNS0K8N021ZTCG onsemi


ntns0k8n021z-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 220MA 3XDFN
на замовлення 32000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTNS0K8N021ZTCG onsemi

Description: ONSEMI - NTNS0K8N021ZTCG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 220 mA, 0.8 ohm, XDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 220mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: XDFN, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NTNS0K8N021ZTCG за ціною від 14.18 грн до 52.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTNS0K8N021ZTCG NTNS0K8N021ZTCG Виробник : onsemi NTNS0K8N021Z_D-2319291.pdf MOSFET T1 XDFN3L 0.62X0.42 MM
на замовлення 6560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.51 грн
12+30.54 грн
100+20.60 грн
500+18.54 грн
1000+16.11 грн
2500+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS0K8N021ZTCG NTNS0K8N021ZTCG Виробник : ONSEMI ntns0k8n021z-d.pdf Description: ONSEMI - NTNS0K8N021ZTCG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 220 mA, 0.8 ohm, XDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: XDFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+42.17 грн
23+37.30 грн
100+28.55 грн
500+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS0K8N021ZTCG NTNS0K8N021ZTCG Виробник : onsemi ntns0k8n021z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 220MA 3XDFN
на замовлення 37232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.52 грн
10+44.60 грн
100+34.18 грн
500+25.36 грн
1000+20.28 грн
2000+20.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS0K8N021ZTCG Виробник : ON Semiconductor ntns0k8n021z-d.pdf
на замовлення 7920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.