
NTNS2K1P021ZTCG ONSEMI

Description: ONSEMI - NTNS2K1P021ZTCG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 127 mA, 2.1 ohm, XDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: XDFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 22.45 грн |
500+ | 11.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTNS2K1P021ZTCG ONSEMI
Description: ONSEMI - NTNS2K1P021ZTCG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 127 mA, 2.1 ohm, XDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 127mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125mW, Bauform - Transistor: XDFN, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NTNS2K1P021ZTCG за ціною від 11.88 грн до 50.64 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTNS2K1P021ZTCG | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 127mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 125mW Bauform - Transistor: XDFN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTNS2K1P021ZTCG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 125mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-XDFN (0.42x0.62) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 15 V |
на замовлення 2323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NTNS2K1P021ZTCG | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 6926 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTNS2K1P021ZTCG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 125mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-XDFN (0.42x0.62) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |