Продукція > ONSEMI > NTNS2K1P021ZTCG
NTNS2K1P021ZTCG

NTNS2K1P021ZTCG onsemi

ntns2k1p021z-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 127MA 3XDFN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 3-XDFN (0.42x0.62)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
на замовлення 2323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+44.64 грн
10+36.47 грн
100+25.34 грн
500+18.57 грн
1000+15.09 грн
2000+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTNS2K1P021ZTCG onsemi

Description: ONSEMI - NTNS2K1P021ZTCG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 127 mA, 2.1 ohm, XDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 127mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125mW, Bauform - Transistor: XDFN, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NTNS2K1P021ZTCG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTNS2K1P021ZTCG NTNS2K1P021ZTCG onsemi NTNS2K1P021Z_D-1878741.pdf MOSFET T1 XDFN3L 0.62X0.42 MM
на замовлення 6926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS2K1P021ZTCG NTNS2K1P021ZTCG ONSEMI 3005755.pdf Description: ONSEMI - NTNS2K1P021ZTCG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 127 mA, 2.1 ohm, XDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: XDFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS2K1P021ZTCG NTNS2K1P021ZTCG ONSEMI 3005755.pdf Description: ONSEMI - NTNS2K1P021ZTCG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 127 mA, 2.1 ohm, XDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: XDFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS2K1P021ZTCG NTNS2K1P021Z_D-1878741.pdf
NTNS2K1P021ZTCG
Виробник: onsemi
MOSFET T1 XDFN3L 0.62X0.42 MM
на замовлення 6926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS2K1P021ZTCG 3005755.pdf
NTNS2K1P021ZTCG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTNS2K1P021ZTCG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 127 mA, 2.1 ohm, XDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: XDFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS2K1P021ZTCG 3005755.pdf
NTNS2K1P021ZTCG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTNS2K1P021ZTCG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 127 mA, 2.1 ohm, XDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: XDFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.