Продукція > ONSEMI > NTNS2K1P021ZTCG
NTNS2K1P021ZTCG

NTNS2K1P021ZTCG ONSEMI


3005755.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTNS2K1P021ZTCG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 127 mA, 2.1 ohm, XDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: XDFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.45 грн
500+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTNS2K1P021ZTCG ONSEMI

Description: ONSEMI - NTNS2K1P021ZTCG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 127 mA, 2.1 ohm, XDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 127mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125mW, Bauform - Transistor: XDFN, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NTNS2K1P021ZTCG за ціною від 11.88 грн до 50.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTNS2K1P021ZTCG NTNS2K1P021ZTCG Виробник : ONSEMI 3005755.pdf Description: ONSEMI - NTNS2K1P021ZTCG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 127 mA, 2.1 ohm, XDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: XDFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+41.26 грн
25+34.00 грн
100+22.45 грн
500+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS2K1P021ZTCG NTNS2K1P021ZTCG Виробник : onsemi ntns2k1p021z-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 127MA 3XDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 125mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-XDFN (0.42x0.62)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 15 V
на замовлення 2323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.16 грн
10+37.70 грн
100+26.20 грн
500+19.20 грн
1000+15.60 грн
2000+13.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS2K1P021ZTCG NTNS2K1P021ZTCG Виробник : onsemi NTNS2K1P021Z_D-1878741.pdf MOSFET T1 XDFN3L 0.62X0.42 MM
на замовлення 6926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.64 грн
10+43.06 грн
100+28.47 грн
500+22.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS2K1P021ZTCG NTNS2K1P021ZTCG Виробник : onsemi ntns2k1p021z-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 127MA 3XDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 125mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-XDFN (0.42x0.62)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.