Продукція > ONSEMI > NTNS3190NZT5G
NTNS3190NZT5G

NTNS3190NZT5G ONSEMI


ONSMS25061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTNS3190NZT5G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 230 mA, 0.75 ohm, XLLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: XLLGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6234243 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTNS3190NZT5G ONSEMI

Description: ONSEMI - NTNS3190NZT5G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 230 mA, 0.75 ohm, XLLGA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125mW, Bauform - Transistor: XLLGA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NTNS3190NZT5G за ціною від 10.40 грн до 52.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTNS3190NZT5G NTNS3190NZT5G Виробник : ONSEMI ONSMS25061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTNS3190NZT5G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 230 mA, 0.75 ohm, XLLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: XLLGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 12735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS3190NZT5G NTNS3190NZT5G Виробник : onsemi on_semiconductor_onsms25061_1-1740644.pdf MOSFET NFET XLLGA3 20V 230MA 1.4
на замовлення 6653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.44 грн
10+44.25 грн
100+28.77 грн
500+22.59 грн
1000+17.51 грн
2500+16.26 грн
5000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS3190NZT5G NTNS3190NZT5G Виробник : onsemi NTNS3190NZ.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 224MA 3XLLGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 224mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 120mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-XLLGA (0.62x0.62)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.8 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS3190NZT5G NTNS3190NZT5G Виробник : onsemi NTNS3190NZ.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 224MA 3XLLGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 224mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 120mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-XLLGA (0.62x0.62)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.8 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.