NTNS3190NZT5G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NTNS3190NZT5G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 230 mA, 0.75 ohm, XLLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: XLLGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6234243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 10.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTNS3190NZT5G ONSEMI
Description: ONSEMI - NTNS3190NZT5G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 230 mA, 0.75 ohm, XLLGA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125mW, Bauform - Transistor: XLLGA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NTNS3190NZT5G за ціною від 10.37 грн до 52.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTNS3190NZT5G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTNS3190NZT5G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 230 mA, 0.75 ohm, XLLGA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 125mW Bauform - Transistor: XLLGA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 12735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTNS3190NZT5G | Виробник : onsemi |
MOSFET NFET XLLGA3 20V 230MA 1.4 |
на замовлення 6653 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTNS3190NZT5G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 224MA 3XLLGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 224mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 120mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-XLLGA (0.62x0.62) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.8 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NTNS3190NZT5G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 224MA 3XLLGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 224mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 120mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-XLLGA (0.62x0.62) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.8 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |