NTNS3A65PZT5G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 281MA SOT883
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 281mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 155mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44 pF @ 10 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTNS3A65PZT5G onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 281MA SOT883, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 155mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 200mA, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 281mA (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-XFDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції NTNS3A65PZT5G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NTNS3A65PZT5G | onsemi |
MOSFET PFET SOT883 20V 235MA |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTNS3A65PZT5G | ONN |
|
на замовлення 5455 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTNS3A65PZT5G |
|
Виробник: onsemi
MOSFET PFET SOT883 20V 235MA
MOSFET PFET SOT883 20V 235MA
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NTNS3A65PZT5G |
|
Виробник: ONN
на замовлення 5455 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)