Продукція > ONSEMI > NTNS3A65PZT5G

NTNS3A65PZT5G onsemi

Name: NTNS3A65PZT5G
Brand: onsemi
SKU: 22553322-3
Price: 25206.09 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 281MA SOT883
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 281mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 155mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44 pF @ 10 V

на замовлення 315809 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3957+	6.37 грн

Мінімальне замовлення: 3957

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NTNS3A65PZT5G onsemi

Description: MOSFET P-CH 20V 281MA SOT883, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 281mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 155mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44 pF @ 10 V.

Інші пропозиції NTNS3A65PZT5G

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
NTNS3A65PZT5G	Виробник : onsemi	MOSFET PFET SOT883 20V 235MA	на замовлення 45 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
NTNS3A65PZT5G	Виробник : ON Semiconductor	Trans MOSFET P-CH 20V 0.281A 3-Pin XDFN T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NTNS3A65PZT5G	Виробник : onsemi	Description: MOSFET P-CH 20V 281MA SOT883 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 281mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 155mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44 pF @ 10 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NTNS3A65PZT5G	Виробник : onsemi	Description: MOSFET P-CH 20V 281MA SOT883 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 281mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 155mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44 pF @ 10 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.