NTNS3A65PZT5GHW ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTNS3A65PZT5GHW - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NTNS3A65PZT5GHW - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 42363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8000+ | 24.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTNS3A65PZT5GHW ONSEMI
Description: MOSFET P-CH 20V 281MA SOT883, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 281mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 155mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44 pF @ 10 V.
Інші пропозиції NTNS3A65PZT5GHW
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
NTNS3A65PZT5GHW | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 281MA SOT883 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 281mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 155mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |