
NTNS3A91PZT5G onsemi

Description: MOSFET P-CH 20V 223MA 3XLLGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 223mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 121mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-XLLGA (0.62x0.62)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V
на замовлення 352961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1346+ | 17.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTNS3A91PZT5G onsemi
Description: ONSEMI - NTNS3A91PZT5G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 223 A, 0.0016 ohm, XLLGA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 223A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 121mW, Bauform - Transistor: XLLGA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NTNS3A91PZT5G за ціною від 22.78 грн до 22.78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTNS3A91PZT5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6482 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
NTNS3A91PZT5G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 223A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 121mW Bauform - Transistor: XLLGA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 359840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
NTNS3A91PZT5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
NTNS3A91PZT5G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFLGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 223mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 121mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-XLLGA (0.62x0.62) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
NTNS3A91PZT5G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFLGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 223mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 121mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-XLLGA (0.62x0.62) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |