Технічний опис NTNUS3171PZT5G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTNUS3171PZT5G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, SOT-1123, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125mW, Anzahl der Pins: 3Pin(s), productTraceability: No, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm.
Інші пропозиції NTNUS3171PZT5G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NTNUS3171PZT5G | ON Semiconductor |
 MOSFET T1 20V P-CH SOT-1123 |
на замовлення 3882 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
NTNUS3171PZT5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTNUS3171PZT5G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, SOT-1123, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 125mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm |
на замовлення 7235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
NTNUS3171PZT5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTNUS3171PZT5G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, SOT-1123, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 125mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm |
на замовлення 7235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
NTNUS3171PZT5G | ON Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 20V 150MA SOT1123 |
на замовлення 324166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. |
| NTNUS3171PZT5G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 2496 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTNUS3171PZT5G |
|
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET T1 20V P-CH SOT-1123
MOSFET T1 20V P-CH SOT-1123
на замовлення 3882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NTNUS3171PZT5G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTNUS3171PZT5G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, SOT-1123, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
Description: ONSEMI - NTNUS3171PZT5G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, SOT-1123, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 7235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTNUS3171PZT5G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTNUS3171PZT5G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, SOT-1123, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
Description: ONSEMI - NTNUS3171PZT5G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, SOT-1123, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 7235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTNUS3171PZT5G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 150MA SOT1123
Description: MOSFET P-CH 20V 150MA SOT1123
на замовлення 324166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTNUS3171PZT5G |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)