Продукція > ONSEMI > NTP011N15MC
NTP011N15MC

NTP011N15MC onsemi

ntp011n15mc-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 9.8/74.3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 74.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 223µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 75 V
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+269.41 грн
50+132.17 грн
100+119.86 грн
500+92.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTP011N15MC onsemi

Description: ONSEMI - NTP011N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 74.3 A, 8700 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 74.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136.4W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTP011N15MC

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTP011N15MC NTP011N15MC onsemi ntp011n15mc-d.pdf MOSFETs PTNG 150V N-FET TO220
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTP011N15MC NTP011N15MC ONSEMI ntp011n15mc-d.pdf Description: ONSEMI - NTP011N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 74.3 A, 8700 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136.4W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTP011N15MC ON Semiconductor ntp011n15mc-d.pdf
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTP011N15MC ntp011n15mc-d.pdf
NTP011N15MC
Виробник: onsemi
MOSFETs PTNG 150V N-FET TO220
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTP011N15MC ntp011n15mc-d.pdf
NTP011N15MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTP011N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 74.3 A, 8700 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136.4W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTP011N15MC ntp011n15mc-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.