
NTP055N65S3H onsemi

Description: MOSFET N-CH 650V 47A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4.8mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 400 V
на замовлення 1509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 519.07 грн |
10+ | 368.23 грн |
100+ | 321.42 грн |
800+ | 296.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTP055N65S3H onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 47A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 23.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 305W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4.8mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 400 V.
Інші пропозиції NTP055N65S3H за ціною від 330.62 грн до 586.62 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTP055N65S3H | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 3716 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
NTP055N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 685 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
![]() |
NTP055N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
NTP055N65S3H | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; Idm: 132A; 305W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO220-3 On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 96nC Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 132A Drain current: 47A Power dissipation: 305W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
NTP055N65S3H | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; Idm: 132A; 305W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO220-3 On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 96nC Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 132A Drain current: 47A Power dissipation: 305W |
товару немає в наявності |