на замовлення 3716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 458.07 грн |
| 10+ | 366.10 грн |
| 100+ | 312.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTP055N65S3H onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 47A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 23.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 305W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4.8mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 400 V.
Інші пропозиції NTP055N65S3H за ціною від 293.31 грн до 514.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTP055N65S3H | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 650V 47A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 305W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4.8mA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 400 V |
на замовлення 1509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| NTP055N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 685 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
 |
NTP055N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
Single N-Channel Power MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| NTP055N65S3H | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; Idm: 132A; 305W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO220-3 On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 132A Gate-source voltage: ±30V Gate charge: 96nC Drain current: 47A Power dissipation: 305W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| NTP055N65S3H | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; Idm: 132A; 305W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO220-3 On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 132A Gate-source voltage: ±30V Gate charge: 96nC Drain current: 47A Power dissipation: 305W |
товару немає в наявності |