NTP067N65S3H ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NTP067N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.055 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 266W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FAST
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 406.94 грн |
| 5+ | 386.34 грн |
| 10+ | 366.59 грн |
| 50+ | 321.27 грн |
| 100+ | 289.20 грн |
| 250+ | 286.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTP067N65S3H ONSEMI
Description: ONSEMI - NTP067N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.055 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 266W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III FAST, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NTP067N65S3H за ціною від 260.52 грн до 536.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTP067N65S3H | Виробник : onsemi |
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 266W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V |
на замовлення 3262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NTP067N65S3H | Виробник : onsemi |
MOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-220 |
на замовлення 1353 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NTP067N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| NTP067N65S3H | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 112A; 266W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 40A Pulsed drain current: 112A Power dissipation: 266W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 67mΩ Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| NTP067N65S3H | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 112A; 266W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 40A Pulsed drain current: 112A Power dissipation: 266W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 67mΩ Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |