
NTP082N65S3F ONSEMI

Description: ONSEMI - NTP082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 404.24 грн |
5+ | 387.77 грн |
10+ | 371.31 грн |
50+ | 329.49 грн |
100+ | 290.04 грн |
250+ | 275.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTP082N65S3F ONSEMI
Description: ONSEMI - NTP082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NTP082N65S3F за ціною від 275.95 грн до 468.40 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTP082N65S3F | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 2284 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
NTP082N65S3F | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V |
на замовлення 460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
NTP082N65S3F | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
NTP082N65S3F | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||
![]() |
NTP082N65S3F | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |