NTP082N65S3F onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 40A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 608.81 грн |
| 50+ | 322.38 грн |
| 100+ | 296.96 грн |
| 500+ | 245.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTP082N65S3F onsemi
Description: ONSEMI - NTP082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.082 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NTP082N65S3F за ціною від 280.01 грн до 832.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTP082N65S3F | onsemi |
MOSFETs SF3 FRFET 650V 82MOHM |
на замовлення 2269 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
NTP082N65S3F | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTP082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.082 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| NTP082N65S3F | ON Semiconductor |
|
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTP082N65S3F |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 FRFET 650V 82MOHM
MOSFETs SF3 FRFET 650V 82MOHM
на замовлення 2269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 638.69 грн |
| 10+ | 346.10 грн |
| 100+ | 280.01 грн |
| NTP082N65S3F |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTP082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.082 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTP082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.082 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 832.58 грн |
| 5+ | 710.38 грн |
| NTP082N65S3F |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)