Продукція > ONSEMI > NTP082N65S3HF

NTP082N65S3HF ONSEMI


3168492.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTP082N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.082 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3096 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+476.11 грн
5+400.46 грн
10+323.98 грн
50+276.41 грн
100+245.28 грн
250+240.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTP082N65S3HF ONSEMI

Description: ONSEMI - NTP082N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.082 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTP082N65S3HF за ціною від 232.99 грн до 586.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTP082N65S3HF NTP082N65S3HF onsemi ntp082n65s3hf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 40A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+585.97 грн
50+308.72 грн
100+284.11 грн
500+232.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP082N65S3HF NTP082N65S3HF onsemi ntp082n65s3hf-d.pdf MOSFETs SF3 FRFET HF VERSION 82MOHM TO-220
на замовлення 7748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+586.30 грн
10+331.51 грн
100+268.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP082N65S3HF ntp082n65s3hf-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 40A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+585.97 грн
50+308.72 грн
100+284.11 грн
500+232.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP082N65S3HF ntp082n65s3hf-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 FRFET HF VERSION 82MOHM TO-220
на замовлення 7748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+586.30 грн
10+331.51 грн
100+268.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.