NTP095N65S3H onsemi
Виробник: onsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 312.93 грн |
| 50+ | 208.57 грн |
| 100+ | 208.22 грн |
| 500+ | 191.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTP095N65S3H onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V.
Інші пропозиції NTP095N65S3H за ціною від 246.43 грн до 353.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTP095N65S3H | Виробник : onsemi |
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 30 A, 95 mohm, TO-220 |
на замовлення 771 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
NTP095N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
| NTP095N65S3H | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 84A; 208W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO220-3 On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 58nC Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 84A Drain current: 30A Power dissipation: 208W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||
| NTP095N65S3H | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 84A; 208W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO220-3 On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 58nC Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 84A Drain current: 30A Power dissipation: 208W |
товару немає в наявності |