NTP095N65S3H onsemi
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 335.28 грн |
| 10+ | 233.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTP095N65S3H onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V.
Інші пропозиції NTP095N65S3H за ціною від 191.37 грн до 511.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTP095N65S3H | Виробник : onsemi |
 Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFEPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V |
на замовлення 3873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTP095N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |