
NTP095N65S3HF onsemi

Description: MOSFET N-CH 650V 36A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 467.75 грн |
50+ | 276.69 грн |
100+ | 254.34 грн |
500+ | 214.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTP095N65S3HF onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 36A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 272W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V.
Інші пропозиції NTP095N65S3HF за ціною від 229.60 грн до 528.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTP095N65S3HF | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 924 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
NTP095N65S3HF | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
NTP095N65S3HF | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 36A; Idm: 90A; 272W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO220-3 On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 66nC Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 90A Drain current: 36A Power dissipation: 272W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
NTP095N65S3HF | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 36A; Idm: 90A; 272W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO220-3 On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 66nC Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 90A Drain current: 36A Power dissipation: 272W |
товару немає в наявності |