
NTP125N65S3H onsemi

Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 184.18 грн |
50+ | 176.21 грн |
100+ | 173.34 грн |
500+ | 159.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTP125N65S3H onsemi
Description: ONSEMI - NTP125N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.108 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 171W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III FAST, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NTP125N65S3H за ціною від 203.78 грн до 339.20 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTP125N65S3H | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 582 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
NTP125N65S3H | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 171W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FAST productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
NTP125N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
![]() |
NTP125N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
NTP125N65S3H | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |