NTP125N65S3H onsemi
Виробник: onsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 182.96 грн |
| 50+ | 173.98 грн |
| 100+ | 171.19 грн |
| 500+ | 159.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTP125N65S3H onsemi
Description: ONSEMI - NTP125N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.108 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 171W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III FAST, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTP125N65S3H за ціною від 172.96 грн до 206.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTP125N65S3H | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTP125N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.108 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 171W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FAST productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
NTP125N65S3H | Виробник : onsemi |
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 24 A, 125 mohm, TO-220 |
на замовлення 569 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| NTP125N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
 |
NTP125N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
| NTP125N65S3H | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 67A; 171W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO220-3 On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 44nC Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 67A Drain current: 24A Power dissipation: 171W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
| NTP125N65S3H | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 67A; 171W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO220-3 On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 44nC Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 67A Drain current: 24A Power dissipation: 171W |
товару немає в наявності |