Технічний опис NTP150N65S3HF ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTP150N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.121 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650, Dauer-Drainstrom Id: 24, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 192, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 192, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: SUPERFET III FRFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.121, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції NTP150N65S3HF за ціною від 151.12 грн до 413.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTP150N65S3HF | onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 400 V |
на замовлення 509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
NTP150N65S3HF | onsemi |
MOSFETs Pwr MOSFET N-Chn SUPERFET III |
на замовлення 703 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTP150N65S3HF | ON Semiconductor |
|
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTP150N65S3HF |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 400 V
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 413.35 грн |
| 50+ | 210.82 грн |
| 100+ | 192.72 грн |
| 500+ | 151.12 грн |
| NTP150N65S3HF |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs Pwr MOSFET N-Chn SUPERFET III
MOSFETs Pwr MOSFET N-Chn SUPERFET III
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NTP150N65S3HF |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)