NTP190N65S3HF onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 400 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 358.78 грн |
| 50+ | 181.04 грн |
| 100+ | 165.14 грн |
| 500+ | 128.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTP190N65S3HF onsemi
Description: ONSEMI - NTP190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 162W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NTP190N65S3HF за ціною від 128.81 грн до 427.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTP190N65S3HF | onsemi |
MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 190M |
на замовлення 424 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NTP190N65S3HF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTP190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 162W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| NTP190N65S3HF | ON Semiconductor |
|
на замовлення 520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTP190N65S3HF |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 190M
MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 190M
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 376.89 грн |
| 10+ | 194.86 грн |
| 100+ | 154.29 грн |
| 500+ | 141.21 грн |
| NTP190N65S3HF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTP190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTP190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 427.52 грн |
| 10+ | 280.46 грн |
| 100+ | 206.53 грн |
| 500+ | 156.70 грн |
| 1000+ | 128.81 грн |
| NTP190N65S3HF |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



