на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 239.74 грн |
| 10+ | 199.18 грн |
| 25+ | 142.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTP190N65S3HF onsemi
Description: ONSEMI - NTP190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.159 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 162W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTP190N65S3HF за ціною від 115.73 грн до 289.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTP190N65S3HF | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 162W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 400 V |
на замовлення 67044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTP190N65S3HF | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTP190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.159 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 162W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NTP190N65S3HF | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
NTP190N65S3HF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| NTP190N65S3HF | Виробник : ONSEMI |
NTP190N65S3HF THT N channel transistors |
товару немає в наявності |