NTP2955G

NTP2955G ON Semiconductor


NTP2955_D-1814231.pdf Виробник: ON Semiconductor
MOSFET -60V -12A P-Channel
на замовлення 2170 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTP2955G ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 60V 2.4A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NTP2955G за ціною від 20.95 грн до 20.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTP2955G NTP2955G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0011484349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTP2955G - MOSFET, P, 60V, TO-220
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTP2955G Виробник : ON-Semicoductor Trans MOSFET P-CH 60V 12A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB NTP2955G TNTP2955g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 30
NTP2955G
Код товару: 151177
Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
NTP2955G NTP2955G Виробник : ON Semiconductor ntp2955-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
NTP2955G NTP2955G Виробник : onsemi Description: MOSFET P-CH 60V 2.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товар відсутній