Продукція > ONSEMI > NTP360N80S3Z
NTP360N80S3Z

NTP360N80S3Z ONSEMI

ntp360n80s3z-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 32.5A; 96W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 32.5A
Power dissipation: 96W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+242.87 грн
5+175.77 грн
10+148.41 грн
25+145.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTP360N80S3Z ONSEMI

Description: ONSEMI - NTP360N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.36 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTP360N80S3Z за ціною від 105.99 грн до 318.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTP360N80S3Z NTP360N80S3Z onsemi ntp360n80s3z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 400 V
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.76 грн
50+150.61 грн
100+136.91 грн
500+105.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP360N80S3Z NTP360N80S3Z ONSEMI ONSM-S-A0010100958-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTP360N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.36 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+306.98 грн
10+159.11 грн
100+136.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP360N80S3Z NTP360N80S3Z onsemi ntp360n80s3z-d.pdf MOSFETs SF3 800V 360MOHM TO-220
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+318.23 грн
10+162.39 грн
100+127.43 грн
500+111.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP360N80S3Z ON Semiconductor ntp360n80s3z-d.pdf
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTP360N80S3Z ntp360n80s3z-d.pdf
NTP360N80S3Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 400 V
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+303.76 грн
50+150.61 грн
100+136.91 грн
500+105.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP360N80S3Z ONSM-S-A0010100958-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTP360N80S3Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTP360N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.36 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+306.98 грн
10+159.11 грн
100+136.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP360N80S3Z ntp360n80s3z-d.pdf
NTP360N80S3Z
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 800V 360MOHM TO-220
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+318.23 грн
10+162.39 грн
100+127.43 грн
500+111.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP360N80S3Z ntp360n80s3z-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.