NTP360N80S3Z onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 13A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 400 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 167+ | 135.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTP360N80S3Z onsemi
Description: ONSEMI - NTP360N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.36 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTP360N80S3Z за ціною від 106.15 грн до 339.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTP360N80S3Z | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 32.5A; 96W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 13A Pulsed drain current: 32.5A Power dissipation: 96W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 25.3nC |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
NTP360N80S3Z | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 300µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 400 V |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
NTP360N80S3Z | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 32.5A; 96W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 13A Pulsed drain current: 32.5A Power dissipation: 96W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 25.3nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NTP360N80S3Z | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTP360N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.36 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NTP360N80S3Z | Виробник : onsemi |
MOSFETs MOSFET - Power, N-Channel, SUPERFET III, 800 V, 13 A, 360 mohm, TO-220 |
на замовлення 627 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| NTP360N80S3Z | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 760 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| NTP360N80S3Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |