NTP5412NG ONSEMI

Description: ONSEMI - NTP5412NG - NTP5412NG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
250+ | 85.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTP5412NG ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 0 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NTP5412NG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
NTP5412NG |
![]() |
на замовлення 176 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
![]() |
NTP5412NG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
NTP5412NG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 0 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |