NTP5860NG onsemi
Виробник: onsemi
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 60
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10760 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 114+ | 196.32 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
114 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTP5860NG onsemi
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 60, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 283W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10760 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NTP5860NG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NTP5860NG | ON Semiconductor |
MOSFET NFET TO220 60V 2.5A 300 |
на замовлення 149 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |
| NTP5860NG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTP5860NG - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 135 шт В кошику од. на суму грн. |
| NTP5860NG |
|
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET NFET TO220 60V 2.5A 300
MOSFET NFET TO220 60V 2.5A 300
на замовлення 149 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| NTP5860NG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTP5860NG - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NTP5860NG - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)