
NTP5860NLG ON Semiconductor
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
215+ | 56.80 грн |
289+ | 42.19 грн |
500+ | 33.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTP5860NLG ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 220A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 283W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10760 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NTP5860NLG за ціною від 30.23 грн до 82.88 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTP5860NLG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTP5860NLG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 283W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10760 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |