Технічний опис NTP5D0N15MC ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTP5D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 139 A, 5000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 139A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NTP5D0N15MC за ціною від 149.78 грн до 445.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTP5D0N15MC | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 15A/139A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 139A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 97A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 532µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 75 V |
на замовлення 93697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
NTP5D0N15MC | onsemi |
MOSFETs PTNG 150V N-FET TO220 |
на замовлення 2598 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NTP5D0N15MC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTP5D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 139 A, 5000 µohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 139A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| NTP5D0N15MC | ON Semiconductor |
|
на замовлення 65 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTP5D0N15MC |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 15A/139A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 97A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 532µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 75 V
Description: MOSFET N-CH 150V 15A/139A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 97A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 532µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 75 V
на замовлення 93697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 356.03 грн |
| 50+ | 187.19 грн |
| 100+ | 181.27 грн |
| 500+ | 154.79 грн |
| 1000+ | 149.78 грн |
| NTP5D0N15MC |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs PTNG 150V N-FET TO220
MOSFETs PTNG 150V N-FET TO220
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 425.13 грн |
| 10+ | 221.28 грн |
| 100+ | 175.50 грн |
| 500+ | 162.11 грн |
| NTP5D0N15MC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTP5D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 139 A, 5000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTP5D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 139 A, 5000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 445.68 грн |
| 10+ | 240.11 грн |
| 100+ | 218.73 грн |
| 500+ | 186.31 грн |
| NTP5D0N15MC |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)





