Продукція > ONSEMI > NTP6412ANG
NTP6412ANG

NTP6412ANG onsemi


ntb6412an-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 58A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.2mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 114 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+142.27 грн
50+ 110.32 грн
100+ 90.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTP6412ANG onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 58A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.2mOhm @ 58A, 10V, Power Dissipation (Max): 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NTP6412ANG за ціною від 62.49 грн до 152.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTP6412ANG NTP6412ANG Виробник : onsemi NTB6412AN_D-2318556.pdf MOSFET NFET TO220 100V 72A
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+151.1 грн
10+ 128.22 грн
100+ 96.14 грн
500+ 71.43 грн
1000+ 62.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTP6412ANG NTP6412ANG Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014832339-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTP6412ANG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0168 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 58
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 167
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 167
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0168
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+152.03 грн
10+ 136.3 грн
Мінімальне замовлення: 5