Продукція > ONSEMI > NTP6412ANG
NTP6412ANG

NTP6412ANG ONSEMI

ntb6412an-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTP6412ANG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0168 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+205.00 грн
10+121.02 грн
100+102.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTP6412ANG ONSEMI

Description: ONSEMI - NTP6412ANG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0168 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NTP6412ANG за ціною від 72.51 грн до 232.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTP6412ANG NTP6412ANG Виробник : onsemi ntb6412an-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 58A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.2mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.91 грн
50+105.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTP6412ANG NTP6412ANG Виробник : onsemi NTB6412AN_D-1814029.pdf MOSFETs NFET TO220 100V 72A
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.04 грн
10+118.16 грн
100+86.60 грн
250+85.13 грн
500+72.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTP6412ANG Виробник : ONSEMI ntb6412an-d.pdf NTP6412ANG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.