NTPF110N65S3HF ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTPF110N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.098 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NTPF110N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.098 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 374.07 грн |
10+ | 339.05 грн |
25+ | 309.99 грн |
100+ | 260.86 грн |
500+ | 206.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTPF110N65S3HF ONSEMI
Description: ONSEMI - NTPF110N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.098 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 240W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NTPF110N65S3HF за ціною від 188.65 грн до 421.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTPF110N65S3HF | Виробник : onsemi | MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FRFET, 650 V, 30 A, 110 mohm, TO-220F |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTPF110N65S3HF | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 740µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 400 V |
на замовлення 493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTPF110N65S3HF | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 2672 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
NTPF110N65S3HF | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |