NTPF125N65S3H ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NTPF125N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.125 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 370.95 грн |
| 10+ | 191.04 грн |
| 100+ | 190.18 грн |
| 500+ | 160.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTPF125N65S3H ONSEMI
Description: ONSEMI - NTPF125N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.125 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTPF125N65S3H за ціною від 182.17 грн до 383.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTPF125N65S3H | Виробник : onsemi |
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFEPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.1mA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V |
на замовлення 4965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
NTPF125N65S3H | Виробник : onsemi |
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 24 A, 125 mohm, TO-220F |
на замовлення 874 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| NTPF125N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||
| NTPF125N65S3H | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 67A; 37W; TO220FP Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 44nC On-state resistance: 0.125Ω Gate-source voltage: ±30V Drain current: 24A Power dissipation: 37W Pulsed drain current: 67A Drain-source voltage: 650V Case: TO220FP |
товару немає в наявності |
