Продукція > ONSEMI > NTPF165N65S3H
NTPF165N65S3H

NTPF165N65S3H ONSEMI

3213461.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTPF165N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.132 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+320.26 грн
10+196.77 грн
100+179.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTPF165N65S3H ONSEMI

Description: ONSEMI - NTPF165N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.132 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NTPF165N65S3H за ціною від 137.85 грн до 352.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTPF165N65S3H NTPF165N65S3H Виробник : onsemi ntpf165n65s3h-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1808 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+324.70 грн
50+189.88 грн
100+174.07 грн
500+140.45 грн
1000+137.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF165N65S3H NTPF165N65S3H Виробник : onsemi ntpf165n65s3h-d.pdf MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 19 A, 165 mohm, TO-220F
на замовлення 11994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+352.77 грн
10+253.20 грн
50+184.21 грн
100+168.80 грн
250+161.46 грн
500+150.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF165N65S3H Виробник : ON Semiconductor ntpf165n65s3h-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF165N65S3H Виробник : ONSEMI ntpf165n65s3h-d.pdf NTPF165N65S3H THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.