NTPF190N65S3H ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NTPF190N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.156 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 32W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.156ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 264.53 грн |
| 10+ | 210.88 грн |
| 100+ | 181.82 грн |
| 500+ | 155.69 грн |
| 1000+ | 117.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTPF190N65S3H ONSEMI
Description: ONSEMI - NTPF190N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.156 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 32W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.156ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NTPF190N65S3H за ціною від 136.84 грн до 317.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTPF190N65S3H | Виробник : onsemi |
MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 16 A, 190 mohm, TO220F |
на замовлення 1614 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTPF190N65S3H | Виробник : onsemi |
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.4mA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 400 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
NTPF190N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak Tube |
товар відсутній |