NTPF190N65S3H onsemi
Виробник: onsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.4mA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 400 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 352.74 грн |
| 50+ | 198.38 грн |
| 100+ | 191.36 грн |
| 500+ | 147.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTPF190N65S3H onsemi
Description: ONSEMI - NTPF190N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTPF190N65S3H за ціною від 153.53 грн до 375.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTPF190N65S3H | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTPF190N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NTPF190N65S3H | Виробник : onsemi |
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 16 A, 190 mohm, TO220F |
на замовлення 524 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NTPF190N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| NTPF190N65S3H | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 45A; 32W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 16A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 31nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |