Продукція > ONSEMI > NTPF190N65S3H
NTPF190N65S3H

NTPF190N65S3H ONSEMI

ntpf190n65s3h-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTPF190N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+370.12 грн
10+231.65 грн
100+216.85 грн
500+156.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTPF190N65S3H ONSEMI

Description: ONSEMI - NTPF190N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTPF190N65S3H за ціною від 145.60 грн до 408.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTPF190N65S3H NTPF190N65S3H Виробник : onsemi ntpf190n65s3h-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.4mA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 400 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+404.77 грн
50+204.37 грн
100+186.48 грн
500+145.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF190N65S3H NTPF190N65S3H Виробник : onsemi NTPF190N65S3H-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 16 A, 190 mohm, TO220F
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+408.48 грн
10+224.98 грн
100+177.78 грн
500+162.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF190N65S3H NTPF190N65S3H Виробник : ON Semiconductor ntpf190n65s3h-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF190N65S3H Виробник : ONSEMI ntpf190n65s3h-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 45A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 31nC
Power dissipation: 32W
Pulsed drain current: 45A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.