NTPF190N65S3HF ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NTPF190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 163.73 грн |
| 10+ | 162.86 грн |
| 100+ | 161.98 грн |
| 500+ | 133.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTPF190N65S3HF ONSEMI
Description: ONSEMI - NTPF190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTPF190N65S3HF за ціною від 137.63 грн до 385.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTPF190N65S3HF | Виробник : onsemi |
MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 190M |
на замовлення 5777 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NTPF190N65S3HF | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220FPPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 400 V |
на замовлення 732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| NTPF190N65S3HF | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 671 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| NTPF190N65S3HF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| NTPF190N65S3HF | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 50A; 36W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 0.19Ω Gate charge: 34nC Power dissipation: 36W Pulsed drain current: 50A |
товару немає в наявності |
