
NTPF190N65S3HF onsemi

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 400 V
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 157.98 грн |
10+ | 149.61 грн |
100+ | 148.17 грн |
500+ | 134.78 грн |
1000+ | 131.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTPF190N65S3HF onsemi
Description: ONSEMI - NTPF190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.152 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.152ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NTPF190N65S3HF за ціною від 165.42 грн до 274.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTPF190N65S3HF | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 5830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTPF190N65S3HF | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85413000 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.152ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
NTPF190N65S3HF | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 409 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
NTPF190N65S3HF | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 409 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
NTPF190N65S3HF | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 409 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
NTPF190N65S3HF | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 671 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
NTPF190N65S3HF | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |