Продукція > ONSEMI > NTPF190N65S3HF
NTPF190N65S3HF

NTPF190N65S3HF onsemi

ntpf190n65s3hf-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 400 V
на замовлення 2767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.61 грн
10+148.02 грн
100+147.34 грн
500+133.00 грн
1000+125.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTPF190N65S3HF onsemi

Description: ONSEMI - NTPF190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTPF190N65S3HF за ціною від 130.67 грн до 165.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTPF190N65S3HF NTPF190N65S3HF Виробник : ONSEMI ntpf190n65s3hf-d.pdf Description: ONSEMI - NTPF190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+160.34 грн
10+159.49 грн
100+158.63 грн
500+130.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF190N65S3HF NTPF190N65S3HF Виробник : onsemi NTPF190N65S3HF-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 190M
на замовлення 5782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.87 грн
100+160.87 грн
500+135.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF190N65S3HF Виробник : ON Semiconductor ntpf190n65s3hf-d.pdf
на замовлення 671 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF190N65S3HF Виробник : ON Semiconductor ntpf190n65s3hf-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF190N65S3HF Виробник : ONSEMI ntpf190n65s3hf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 50A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 34nC
Power dissipation: 36W
Pulsed drain current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.