NTPF360N65S3H onsemi
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 119.73 грн |
| 100+ | 117.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTPF360N65S3H onsemi
Description: ONSEMI - NTPF360N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.296 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.296ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTPF360N65S3H за ціною від 107.69 грн до 127.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTPF360N65S3H | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NTPF360N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.296 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 26W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.296ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NTPF360N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| NTPF360N65S3H | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 28A; 26W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 26W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Gate charge: 17.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
NTPF360N65S3H | Виробник : onsemi |
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 916 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| NTPF360N65S3H | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 28A; 26W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 26W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Gate charge: 17.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |