
NTPF360N80S3Z ON Semiconductor
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
146+ | 83.05 грн |
149+ | 81.81 грн |
150+ | 80.99 грн |
152+ | 77.33 грн |
250+ | 70.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTPF360N80S3Z ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 300µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 400 V.
Інші пропозиції NTPF360N80S3Z за ціною від 75.95 грн до 347.62 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTPF360N80S3Z | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTPF360N80S3Z | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 736 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTPF360N80S3Z | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 300µA Supplier Device Package: TO-220FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 400 V |
на замовлення 2963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
NTPF360N80S3Z | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 940 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
![]() |
NTPF360N80S3Z | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
NTPF360N80S3Z | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
NTPF360N80S3Z | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
NTPF360N80S3Z | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 32.5A; 31W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 13A Pulsed drain current: 32.5A Power dissipation: 31W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 25.3nC кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
NTPF360N80S3Z | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 32.5A; 31W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 13A Pulsed drain current: 32.5A Power dissipation: 31W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 25.3nC |
товару немає в наявності |