Продукція > ONSEMI > NTPF450N80S3Z
NTPF450N80S3Z

NTPF450N80S3Z onsemi

NTPF450N80S3Z-D.PDF
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 800V 450MOHM T0-220F
на замовлення 3769 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+161.51 грн
10+111.61 грн
100+91.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTPF450N80S3Z onsemi

Description: ONSEMI - NTPF450N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 29.5W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm.

Інші пропозиції NTPF450N80S3Z за ціною від 87.74 грн до 275.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTPF450N80S3Z NTPF450N80S3Z onsemi ntpf450n80s3z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 240µA
Supplier Device Package: TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 400 V
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.35 грн
50+135.32 грн
100+122.71 грн
500+94.40 грн
1000+87.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF450N80S3Z NTPF450N80S3Z ONSEMI ntpf450n80s3z-d.pdf Description: ONSEMI - NTPF450N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 29.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF450N80S3Z ntpf450n80s3z-d.pdf
NTPF450N80S3Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 240µA
Supplier Device Package: TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 400 V
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+275.35 грн
50+135.32 грн
100+122.71 грн
500+94.40 грн
1000+87.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF450N80S3Z ntpf450n80s3z-d.pdf
NTPF450N80S3Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTPF450N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 29.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.