NTQS6463R2 onsemi

Description: MOSFET P-CH 20V 6.8A 8TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 930mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
701+ | 31.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTQS6463R2 onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 6.8A 8TSSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 930mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: 8-TSSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V.
Інші пропозиції NTQS6463R2 за ціною від 45.39 грн до 45.39 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTQS6463R2 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 5050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
NTQS6463R2 |
![]() |
на замовлення 52000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||
|
NTQS6463R2 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 930mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V |
товару немає в наявності |