Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTR0202PLT1G
NTR0202PLT1G

NTR0202PLT1G ON Semiconductor

ntr0202pl-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTR0202PLT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTR0202PLT1G за ціною від 2.94 грн до 40.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTR0202PLT1G NTR0202PLT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDABD57F79D57B80D3&compId=NTR0202PL.PDF?ci_sign=c89bac867850fdce5262bd307008ebf3c1178ec0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.4A; 0.225W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.4A
Gate charge: 2.18nC
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 0.55Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+6.84 грн
72+5.56 грн
89+4.48 грн
100+4.05 грн
500+3.29 грн
1000+3.06 грн
1500+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
NTR0202PLT1G NTR0202PLT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDABD57F79D57B80D3&compId=NTR0202PL.PDF?ci_sign=c89bac867850fdce5262bd307008ebf3c1178ec0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.4A; 0.225W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.4A
Gate charge: 2.18nC
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 0.55Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
38+8.20 грн
43+6.92 грн
54+5.37 грн
100+4.86 грн
500+3.94 грн
1000+3.67 грн
1500+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
NTR0202PLT1G NTR0202PLT1G Виробник : onsemi ntr0202pl-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 5 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.41 грн
6000+7.76 грн
9000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR0202PLT1G NTR0202PLT1G Виробник : ONSEMI ntr0202pl-d.pdf Description: ONSEMI - NTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.72 грн
9000+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR0202PLT1G NTR0202PLT1G Виробник : ONSEMI ntr0202pl-d.pdf Description: ONSEMI - NTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.10 грн
500+12.14 грн
1500+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTR0202PLT1G NTR0202PLT1G Виробник : onsemi ntr0202pl-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 5 V
на замовлення 18079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.32 грн
14+23.33 грн
100+13.97 грн
500+12.14 грн
1000+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTR0202PLT1G NTR0202PLT1G Виробник : onsemi NTR0202PL_D-1814328.pdf MOSFETs -20V -400mA P-Channel
на замовлення 93442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+38.84 грн
15+24.53 грн
100+11.20 грн
1000+9.60 грн
3000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTR0202PLT1G NTR0202PLT1G Виробник : ONSEMI ntr0202pl-d.pdf Description: ONSEMI - NTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+40.77 грн
50+27.26 грн
100+14.10 грн
500+12.14 грн
1500+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NTR0202PLT1G NTR0202PLT1G Виробник : ON Semiconductor ntr0202pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.