Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTR0202PLT1G
NTR0202PLT1G

NTR0202PLT1G ON Semiconductor

ntr0202pl-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTR0202PLT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTR0202PLT1G за ціною від 3.44 грн до 40.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTR0202PLT1G NTR0202PLT1G Виробник : ONSEMI NTR0202PL.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.4A; 0.225W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.4A
Gate charge: 2.18nC
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 0.55Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.17 грн
72+5.82 грн
89+4.69 грн
100+4.24 грн
500+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
NTR0202PLT1G NTR0202PLT1G Виробник : ONSEMI NTR0202PL.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.4A; 0.225W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.4A
Gate charge: 2.18nC
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 0.55Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 988 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
38+8.60 грн
43+7.26 грн
54+5.63 грн
100+5.09 грн
500+4.13 грн
1000+3.84 грн
1500+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
NTR0202PLT1G NTR0202PLT1G Виробник : onsemi ntr0202pl-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 5 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.81 грн
6000+8.13 грн
9000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR0202PLT1G NTR0202PLT1G Виробник : ONSEMI ntr0202pl-d.pdf Description: ONSEMI - NTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.14 грн
9000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR0202PLT1G NTR0202PLT1G Виробник : ONSEMI ntr0202pl-d.pdf Description: ONSEMI - NTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.78 грн
500+12.73 грн
1500+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTR0202PLT1G NTR0202PLT1G Виробник : onsemi ntr0202pl-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 5 V
на замовлення 18079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.83 грн
14+24.46 грн
100+14.64 грн
500+12.72 грн
1000+8.65 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTR0202PLT1G NTR0202PLT1G Виробник : ONSEMI ntr0202pl-d.pdf Description: ONSEMI - NTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+38.61 грн
50+29.20 грн
100+18.63 грн
500+13.06 грн
1500+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NTR0202PLT1G NTR0202PLT1G Виробник : onsemi NTR0202PL_D-1814328.pdf MOSFETs -20V -400mA P-Channel
на замовлення 93442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+40.71 грн
15+25.71 грн
100+11.74 грн
1000+10.06 грн
3000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTR0202PLT1G NTR0202PLT1G Виробник : ON Semiconductor ntr0202pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.