NTR1P02LT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.35 грн |
| 6000+ | 4.92 грн |
| 9000+ | 4.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTR1P02LT1G onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції NTR1P02LT1G за ціною від 5.38 грн до 30.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTR1P02LT1G | onsemi |
MOSFETs -20V -1.3A P-Channel |
на замовлення 98837 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTR1P02LT1G | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 10671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTR1P02LT1G | ON-Semiconductor |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 350mOhm; 1,3A; 400mW; -55°C ~ 150°C; NTR1P02LT3G (10000/reel) NTR1P02LT1G TNTR1P02l кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1380 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| NTR1P02LT1G |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs -20V -1.3A P-Channel
MOSFETs -20V -1.3A P-Channel
на замовлення 98837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 26.98 грн |
| 20+ | 16.12 грн |
| 100+ | 13.12 грн |
| 500+ | 8.28 грн |
| 1000+ | 7.25 грн |
| 3000+ | 6.35 грн |
| 6000+ | 5.38 грн |
| NTR1P02LT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.29 грн |
| 15+ | 20.04 грн |
| 100+ | 10.11 грн |
| 500+ | 7.74 грн |
| 1000+ | 5.74 грн |
| NTR1P02LT1G |
|
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 350mOhm; 1,3A; 400mW; -55°C ~ 150°C; NTR1P02LT3G (10000/reel) NTR1P02LT1G TNTR1P02l
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 350mOhm; 1,3A; 400mW; -55°C ~ 150°C; NTR1P02LT3G (10000/reel) NTR1P02LT1G TNTR1P02l
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 5.41 грн |