NTR1P02LT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.31 грн |
| 6000+ | 4.89 грн |
| 9000+ | 4.23 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTR1P02LT1G onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V.
Інші пропозиції NTR1P02LT1G за ціною від 4.61 грн до 37.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTR1P02LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTR1P02LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTR1P02LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTR1P02LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTR1P02LT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.4W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.3A Power dissipation: 0.4W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 3.1nC |
на замовлення 3340 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTR1P02LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTR1P02LT1G | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V |
на замовлення 10671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTR1P02LT1G | onsemi |
MOSFETs -20V -1.3A P-Channel |
на замовлення 2611 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTR1P02LT1G | ON-Semiconductor |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 350mOhm; 1,3A; 400mW; -55°C ~ 150°C; NTR1P02LT3G (10000/reel) NTR1P02LT1G TNTR1P02lкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1380 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| NTR1P02LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.70 грн |
| NTR1P02LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.70 грн |
| NTR1P02LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.70 грн |
| 6000+ | 5.62 грн |
| 9000+ | 5.52 грн |
| 12000+ | 5.25 грн |
| 27000+ | 4.74 грн |
| NTR1P02LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1486+ | 9.59 грн |
| 1570+ | 9.07 грн |
| 1574+ | 9.05 грн |
| 1899+ | 7.23 грн |
| 3000+ | 5.14 грн |
| NTR1P02LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 3.1nC
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 3.1nC
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 24.00 грн |
| 30+ | 14.19 грн |
| 34+ | 12.38 грн |
| 100+ | 9.24 грн |
| 250+ | 7.01 грн |
| 500+ | 5.94 грн |
| 1000+ | 5.69 грн |
| 3000+ | 4.87 грн |
| NTR1P02LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 26+ | 29.88 грн |
| 42+ | 18.21 грн |
| 100+ | 9.24 грн |
| 250+ | 8.10 грн |
| 500+ | 7.75 грн |
| 1000+ | 6.43 грн |
| 3000+ | 4.93 грн |
| NTR1P02LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V
Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V
на замовлення 10671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 30.08 грн |
| 15+ | 19.91 грн |
| 100+ | 10.04 грн |
| 500+ | 7.69 грн |
| 1000+ | 5.71 грн |
| NTR1P02LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs -20V -1.3A P-Channel
MOSFETs -20V -1.3A P-Channel
на замовлення 2611 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 37.46 грн |
| 12+ | 25.23 грн |
| 100+ | 13.90 грн |
| 500+ | 8.78 грн |
| 1000+ | 7.68 грн |
| 3000+ | 5.12 грн |
| 6000+ | 4.61 грн |
| NTR1P02LT1G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 350mOhm; 1,3A; 400mW; -55°C ~ 150°C; NTR1P02LT3G (10000/reel) NTR1P02LT1G TNTR1P02l
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 350mOhm; 1,3A; 400mW; -55°C ~ 150°C; NTR1P02LT3G (10000/reel) NTR1P02LT1G TNTR1P02l
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 5.32 грн |





