Продукція > ONSEMI > NTR1P02LT3G
NTR1P02LT3G

NTR1P02LT3G onsemi

ntr1p02lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTR1P02LT3G onsemi

Description: ONSEMI - NTR1P02LT3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTR1P02LT3G за ціною від 5.53 грн до 47.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTR1P02LT3G NTR1P02LT3G onsemi ntr1p02lt1-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.94 грн
16+19.66 грн
100+9.92 грн
500+8.25 грн
1000+6.42 грн
2000+5.75 грн
5000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02LT3G NTR1P02LT3G ON Semiconductor ntr1p02lt1-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
415+34.03 грн
595+23.75 грн
664+21.28 грн
782+17.41 грн
1000+13.05 грн
3000+11.11 грн
6000+10.27 грн
15000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 415 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02LT3G NTR1P02LT3G ON Semiconductor ntr1p02lt1-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.27 грн
22+35.42 грн
25+33.92 грн
100+22.89 грн
250+18.99 грн
500+15.47 грн
1000+12.52 грн
3000+11.12 грн
6000+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02LT3G NTR1P02LT3G onsemi ntr1p02lt1-d.pdf MOSFETs PFET SOT23 20V .160R
на замовлення 17398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02LT3G NTR1P02LT3G ONSEMI 4413405.pdf Description: ONSEMI - NTR1P02LT3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 31135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02LT3G NTR1P02LT3G ONSEMI 4413405.pdf Description: ONSEMI - NTR1P02LT3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 31135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02LT3G ntr1p02lt1-d.pdf
NTR1P02LT3G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+28.94 грн
16+19.66 грн
100+9.92 грн
500+8.25 грн
1000+6.42 грн
2000+5.75 грн
5000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02LT3G ntr1p02lt1-d.pdf
NTR1P02LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
415+34.03 грн
595+23.75 грн
664+21.28 грн
782+17.41 грн
1000+13.05 грн
3000+11.11 грн
6000+10.27 грн
15000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 415 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02LT3G ntr1p02lt1-d.pdf
NTR1P02LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+47.27 грн
22+35.42 грн
25+33.92 грн
100+22.89 грн
250+18.99 грн
500+15.47 грн
1000+12.52 грн
3000+11.12 грн
6000+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02LT3G ntr1p02lt1-d.pdf
NTR1P02LT3G
Виробник: onsemi
MOSFETs PFET SOT23 20V .160R
на замовлення 17398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02LT3G 4413405.pdf
NTR1P02LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR1P02LT3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 31135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02LT3G 4413405.pdf
NTR1P02LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR1P02LT3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 31135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.