Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTR1P02T1G
NTR1P02T1G

NTR1P02T1G ON Semiconductor

ntr1p02t1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTR1P02T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTR1P02T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.148 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.148ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NTR1P02T1G за ціною від 4.98 грн до 26.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTR1P02T1G NTR1P02T1G Виробник : onsemi ntr1p02t1-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 5 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.83 грн
6000+6.01 грн
9000+5.52 грн
15000+5.08 грн
21000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02T1G NTR1P02T1G Виробник : ONSEMI 2237054.pdf Description: ONSEMI - NTR1P02T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.148 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.148ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.80 грн
500+8.12 грн
1500+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02T1G NTR1P02T1G Виробник : ONSEMI 2237054.pdf Description: ONSEMI - NTR1P02T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.148 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.148ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+17.50 грн
57+14.69 грн
100+11.80 грн
500+8.12 грн
1500+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02T1G NTR1P02T1G Виробник : onsemi NTR1P02T1_D-2319441.pdf MOSFETs -20V -1A P-Channel
на замовлення 174155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+20.00 грн
21+16.16 грн
100+9.93 грн
1000+7.06 грн
3000+6.25 грн
9000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02T1G NTR1P02T1G Виробник : onsemi ntr1p02t1-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 5 V
на замовлення 24344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.26 грн
20+16.09 грн
100+12.17 грн
500+9.18 грн
1000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02T1G
Код товару: 152476
Додати до обраних Обраний товар

ntr1p02t1-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02T1G NTR1P02T1G Виробник : ON Semiconductor ntr1p02t1-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02T1G Виробник : ONSEMI ntr1p02t1-d.pdf NTR1P02T1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.