на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTR1P02T1G ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 5 V.
Інші пропозиції NTR1P02T1G за ціною від 4.79 грн до 25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTR1P02T1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 5 V |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTR1P02T1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 5 V |
на замовлення 56399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTR1P02T1G | Виробник : onsemi | MOSFET -20V -1A P-Channel |
на замовлення 126437 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTR1P02T1G Код товару: 152476 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
NTR1P02T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NTR1P02T1G | Виробник : ONSEMI | NTR1P02T1G SMD P channel transistors |
товар відсутній |