NTR1P02T1G

NTR1P02T1G ON Semiconductor


ntr1p02t1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTR1P02T1G ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 5 V.

Інші пропозиції NTR1P02T1G за ціною від 4.79 грн до 25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTR1P02T1G NTR1P02T1G Виробник : onsemi ntr1p02t1-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 5 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.24 грн
6000+ 5.76 грн
9000+ 5.18 грн
30000+ 4.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTR1P02T1G NTR1P02T1G Виробник : onsemi ntr1p02t1-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 5 V
на замовлення 56399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+22.75 грн
16+ 17.25 грн
100+ 10.36 грн
500+ 9 грн
1000+ 6.12 грн
Мінімальне замовлення: 13
NTR1P02T1G NTR1P02T1G Виробник : onsemi NTR1P02T1_D-2319441.pdf MOSFET -20V -1A P-Channel
на замовлення 126437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+25 грн
17+ 18.37 грн
100+ 8.94 грн
1000+ 6.7 грн
3000+ 5.59 грн
9000+ 5.19 грн
24000+ 4.86 грн
Мінімальне замовлення: 13
NTR1P02T1G
Код товару: 152476
ntr1p02t1-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
NTR1P02T1G NTR1P02T1G Виробник : ON Semiconductor ntr1p02t1-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NTR1P02T1G Виробник : ONSEMI ntr1p02t1-d.pdf NTR1P02T1G SMD P channel transistors
товар відсутній