Інші пропозиції NTR1P02T1G за ціною від 5.06 грн до 26.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTR1P02T1G | onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTR1P02T1G | onsemi |
MOSFETs -20V -1A P-Channel |
на замовлення 174155 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTR1P02T1G | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 5 V |
на замовлення 20786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| NTR1P02T1G |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.81 грн |
| 6000+ | 5.99 грн |
| 9000+ | 5.50 грн |
| 15000+ | 5.06 грн |
| NTR1P02T1G |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs -20V -1A P-Channel
MOSFETs -20V -1A P-Channel
на замовлення 174155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 19.16 грн |
| 21+ | 15.48 грн |
| 100+ | 9.52 грн |
| 1000+ | 6.77 грн |
| 3000+ | 5.99 грн |
| 9000+ | 5.15 грн |
| NTR1P02T1G |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 5 V
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 5 V
на замовлення 20786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 26.17 грн |
| 20+ | 15.88 грн |
| 100+ | 12.13 грн |
| 500+ | 9.15 грн |
| 1000+ | 8.16 грн |