Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > NTR1P02T1G

NTR1P02T1G

ntr1p02t1-d.pdf
Код товару: 152476
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції NTR1P02T1G за ціною від 4.90 грн до 47.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTR1P02T1G NTR1P02T1G onsemi ntr1p02t1-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 5 V
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.95 грн
6000+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02T1G NTR1P02T1G ON Semiconductor ntr1p02t1d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02T1G NTR1P02T1G ON Semiconductor ntr1p02t1d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02T1G NTR1P02T1G ON Semiconductor ntr1p02t1d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.40 грн
6000+15.25 грн
9000+15.23 грн
12000+14.64 грн
27000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02T1G NTR1P02T1G ON Semiconductor ntr1p02t1d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
635+22.44 грн
843+16.90 грн
852+16.72 грн
Мінімальне замовлення: 635 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02T1G NTR1P02T1G ON Semiconductor ntr1p02t1d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+28.08 грн
61+12.52 грн
100+10.71 грн
500+7.70 грн
1000+6.27 грн
3000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02T1G NTR1P02T1G ONSEMI ntr1p02t1-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+28.44 грн
30+14.19 грн
32+13.29 грн
50+11.47 грн
100+10.65 грн
177+5.28 грн
486+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02T1G NTR1P02T1G onsemi ntr1p02t1-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 5 V
на замовлення 56457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.25 грн
14+21.32 грн
50+15.42 грн
100+12.67 грн
500+9.51 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02T1G NTR1P02T1G onsemi ntr1p02t1-d.pdf MOSFETs -20V -1A P-Channel
на замовлення 106019 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
8+38.91 грн
18+17.16 грн
100+13.09 грн
500+9.80 грн
1000+8.92 грн
3000+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02T1G NTR1P02T1G ON Semiconductor ntr1p02t1d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.60 грн
25+31.04 грн
34+22.44 грн
100+16.29 грн
250+14.92 грн
500+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02T1G NTR1P02T1G ONSEMI 2237054.pdf Description: ONSEMI - NTR1P02T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 8699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02T1G NTR1P02T1G ONSEMI 2237054.pdf Description: ONSEMI - NTR1P02T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 8699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02T1G ON-Semiconductor ntr1p02t1-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 20V; 280mOhm; 1A; 400mW; -55°C ~ 150°C; NTR1P02T3G (10000/reel) NTR1P02LT1G TNTR1P02
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02T1G ON-Semiconductor ntr1p02t1-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 20V; 280mOhm; 1A; 400mW; -55°C ~ 150°C; NTR1P02T3G (10000/reel) NTR1P02LT1G TNTR1P02
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02T1G ntr1p02t1-d.pdf
NTR1P02T1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 5 V
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.95 грн
6000+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02T1G ntr1p02t1d.pdf
NTR1P02T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02T1G ntr1p02t1d.pdf
NTR1P02T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02T1G ntr1p02t1d.pdf
NTR1P02T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.40 грн
6000+15.25 грн
9000+15.23 грн
12000+14.64 грн
27000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02T1G ntr1p02t1d.pdf
NTR1P02T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
635+22.44 грн
843+16.90 грн
852+16.72 грн
Мінімальне замовлення: 635 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02T1G ntr1p02t1d.pdf
NTR1P02T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+28.08 грн
61+12.52 грн
100+10.71 грн
500+7.70 грн
1000+6.27 грн
3000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02T1G ntr1p02t1-d.pdf
NTR1P02T1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+28.44 грн
30+14.19 грн
32+13.29 грн
50+11.47 грн
100+10.65 грн
177+5.28 грн
486+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02T1G ntr1p02t1-d.pdf
NTR1P02T1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 5 V
на замовлення 56457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.25 грн
14+21.32 грн
50+15.42 грн
100+12.67 грн
500+9.51 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02T1G ntr1p02t1-d.pdf
NTR1P02T1G
Виробник: onsemi
MOSFETs -20V -1A P-Channel
на замовлення 106019 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+38.91 грн
18+17.16 грн
100+13.09 грн
500+9.80 грн
1000+8.92 грн
3000+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02T1G ntr1p02t1d.pdf
NTR1P02T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+47.60 грн
25+31.04 грн
34+22.44 грн
100+16.29 грн
250+14.92 грн
500+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02T1G 2237054.pdf
NTR1P02T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR1P02T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 8699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02T1G 2237054.pdf
NTR1P02T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR1P02T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 8699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02T1G ntr1p02t1-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 20V; 280mOhm; 1A; 400mW; -55°C ~ 150°C; NTR1P02T3G (10000/reel) NTR1P02LT1G TNTR1P02
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR1P02T1G ntr1p02t1-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 20V; 280mOhm; 1A; 400mW; -55°C ~ 150°C; NTR1P02T3G (10000/reel) NTR1P02LT1G TNTR1P02
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.