Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > NTR2101PT1G

NTR2101PT1G

ntr2101p-d.pdf
Код товару: 85974
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції NTR2101PT1G за ціною від 8.02 грн до 49.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTR2101PT1G NTR2101PT1G onsemi ntr2101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 8V SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G NTR2101PT1G ON Semiconductor ntr2101pd.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3272+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 3272 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G NTR2101PT1G ON Semiconductor ntr2101pd.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.21 грн
6000+11.49 грн
9000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G NTR2101PT1G ON Semiconductor ntr2101pd.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
458+30.83 грн
Мінімальне замовлення: 458 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G NTR2101PT1G ON Semiconductor ntr2101pd.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+31.02 грн
100+19.51 грн
500+14.52 грн
1000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G NTR2101PT1G ON Semiconductor ntr2101pd.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
453+31.21 грн
719+19.63 грн
967+14.60 грн
1092+12.46 грн
Мінімальне замовлення: 453 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G NTR2101PT1G ONSEMI ntr2101p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -3A; 0.96W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3A
Power dissipation: 0.96W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.05 грн
17+26.11 грн
19+22.43 грн
50+15.40 грн
100+13.14 грн
250+10.71 грн
500+9.29 грн
1000+8.20 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G NTR2101PT1G onsemi ntr2101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 8V SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.32 грн
14+22.82 грн
100+14.51 грн
500+10.24 грн
1000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G NTR2101PT1G ON Semiconductor ntr2101pd.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.50 грн
25+30.83 грн
100+19.01 грн
250+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G NTR2101PT1G onsemi ntr2101p-d.pdf MOSFETs -8V 3.7A P-Channel
на замовлення 69425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G NTR2101PT1G ONSEMI 2310584.pdf Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 960mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 58207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G NTR2101PT1G ONSEMI 2310584.pdf Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 960mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 58207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G NTR2101PT1G ONSEMI 2310584.pdf Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 960mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G ntr2101p-d.pdf
NTR2101PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 8V SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G ntr2101pd.pdf
NTR2101PT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3272+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 3272 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G ntr2101pd.pdf
NTR2101PT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.21 грн
6000+11.49 грн
9000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G ntr2101pd.pdf
NTR2101PT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
458+30.83 грн
Мінімальне замовлення: 458 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G ntr2101pd.pdf
NTR2101PT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+31.02 грн
100+19.51 грн
500+14.52 грн
1000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G ntr2101pd.pdf
NTR2101PT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
453+31.21 грн
719+19.63 грн
967+14.60 грн
1092+12.46 грн
Мінімальне замовлення: 453 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G ntr2101p-d.pdf
NTR2101PT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -3A; 0.96W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3A
Power dissipation: 0.96W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+36.05 грн
17+26.11 грн
19+22.43 грн
50+15.40 грн
100+13.14 грн
250+10.71 грн
500+9.29 грн
1000+8.20 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G ntr2101p-d.pdf
NTR2101PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 8V SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+38.32 грн
14+22.82 грн
100+14.51 грн
500+10.24 грн
1000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G ntr2101pd.pdf
NTR2101PT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+49.50 грн
25+30.83 грн
100+19.01 грн
250+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G ntr2101p-d.pdf
NTR2101PT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs -8V 3.7A P-Channel
на замовлення 69425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G 2310584.pdf
NTR2101PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 960mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 58207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G 2310584.pdf
NTR2101PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 960mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 58207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G 2310584.pdf
NTR2101PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 960mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.