Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > NTR2101PT1G

NTR2101PT1G

Name: NTR2101PT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 26323415-5
Price: 36221.04 UAH
Availability: InStock

Код товару: 85974

Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Інші пропозиції NTR2101PT1G за ціною від 6.64 грн до 51.50 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

NTR2101PT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 5845 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3272+	11.07 грн

Мінімальне замовлення: 3272 шт

В кошику од. на суму грн.

NTR2101PT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.64 грн
6000+	12.52 грн
9000+	12.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

NTR2101PT1G

onsemi

Description: MOSFET P-CH 8V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 4 V

на замовлення 2905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	37.26 грн
14+	22.13 грн
50+	16.06 грн
100+	13.21 грн
500+	9.93 грн

Мінімальне замовлення: 9 шт

В кошику од. на суму грн.

NTR2101PT1G

ONSEMI

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -3A; 0.96W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3A
Power dissipation: 0.96W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 650 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

11+	40.88 грн
18+	24.25 грн
50+	15.12 грн
100+	12.46 грн
135+	7.06 грн
370+	6.64 грн

Мінімальне замовлення: 11 шт

В кошику од. на суму грн.

NTR2101PT1G

onsemi

MOSFETs -8V 3.7A P-Channel

на замовлення 61683 шт:

термін постачання 31-40 дні (днів)

8+	41.39 грн
17+	18.28 грн
100+	13.91 грн
500+	10.52 грн
3000+	7.95 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

NTR2101PT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	50.82 грн

Мінімальне замовлення: 16 шт

В кошику од. на суму грн.

NTR2101PT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	50.83 грн
25+	31.96 грн
32+	24.23 грн
100+	19.51 грн
250+	9.14 грн

Мінімальне замовлення: 16 шт

В кошику од. на суму грн.

NTR2101PT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

282+	51.50 грн

Мінімальне замовлення: 282 шт

В кошику од. на суму грн.

NTR2101PT1G

ONSEMI

Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 960mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm

на замовлення 24272 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

NTR2101PT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 67 шт

В кошику од. на суму грн.

NTR2101PT1G

ONSEMI

Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 960mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm

на замовлення 24272 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

NTR2101PT1G

Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 5845 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3272+	11.07 грн

Мінімальне замовлення: 3272 шт

В кошику од. на суму грн.

NTR2101PT1G

Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	12.64 грн
6000+	12.52 грн
9000+	12.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

NTR2101PT1G

Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 8V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 4 V

на замовлення 2905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
9+	37.26 грн
14+	22.13 грн
50+	16.06 грн
100+	13.21 грн
500+	9.93 грн

Мінімальне замовлення: 9 шт

В кошику од. на суму грн.

NTR2101PT1G

Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -3A; 0.96W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3A
Power dissipation: 0.96W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 650 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
11+	40.88 грн
18+	24.25 грн
50+	15.12 грн
100+	12.46 грн
135+	7.06 грн
370+	6.64 грн

Мінімальне замовлення: 11 шт

В кошику од. на суму грн.

NTR2101PT1G

Виробник: onsemi
MOSFETs -8V 3.7A P-Channel

на замовлення 61683 шт:

термін постачання 31-40 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
8+	41.39 грн
17+	18.28 грн
100+	13.91 грн
500+	10.52 грн
3000+	7.95 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

NTR2101PT1G

Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
16+	50.82 грн

Мінімальне замовлення: 16 шт

В кошику од. на суму грн.

NTR2101PT1G

Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
16+	50.83 грн
25+	31.96 грн
32+	24.23 грн
100+	19.51 грн
250+	9.14 грн

Мінімальне замовлення: 16 шт

В кошику од. на суму грн.

NTR2101PT1G

Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
282+	51.50 грн

Мінімальне замовлення: 282 шт

В кошику од. на суму грн.

NTR2101PT1G

Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 960mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm

на замовлення 24272 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

NTR2101PT1G

Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 67 шт

В кошику од. на суму грн.

NTR2101PT1G

Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 960mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm

на замовлення 24272 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.