на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTR2101PT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 960mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTR2101PT1G за ціною від 6.41 грн до 41.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTR2101PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR2101PT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 960mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR2101PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR2101PT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 8V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 4 V |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR2101PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR2101PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR2101PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR2101PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR2101PT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -3A; 0.96W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -8V Drain current: -3A Power dissipation: 0.96W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1971 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR2101PT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs -8V 3.7A P-Channel |
на замовлення 77497 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR2101PT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -3A; 0.96W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -8V Drain current: -3A Power dissipation: 0.96W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1971 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR2101PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR2101PT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 8V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 4 V |
на замовлення 24616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR2101PT1G Код товару: 85974
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|