Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTR2101PT1G
NTR2101PT1G

NTR2101PT1G ON Semiconductor

ntr2101p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTR2101PT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 960mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTR2101PT1G за ціною від 5.41 грн до 41.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTR2101PT1G NTR2101PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3907+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 3907
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G NTR2101PT1G Виробник : ONSEMI 2310584.pdf Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.35 грн
9000+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G NTR2101PT1G Виробник : onsemi ntr2101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 8V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 4 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.02 грн
6000+7.90 грн
9000+7.50 грн
15000+6.61 грн
21000+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G NTR2101PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.88 грн
6000+10.83 грн
9000+9.59 грн
12000+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G NTR2101PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
572+21.34 грн
867+14.08 грн
876+13.93 грн
1049+11.22 грн
1797+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 572
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G NTR2101PT1G Виробник : ONSEMI ntr2101p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -3A; 0.96W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 1971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+31.72 грн
22+17.91 грн
50+13.80 грн
100+12.32 грн
137+6.74 грн
375+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G NTR2101PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+34.37 грн
30+20.77 грн
31+19.82 грн
100+12.61 грн
250+11.55 грн
500+9.26 грн
1000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G NTR2101PT1G Виробник : onsemi ntr2101p-d.pdf MOSFETs -8V 3.7A P-Channel
на замовлення 102820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+34.64 грн
17+20.97 грн
100+12.65 грн
500+10.64 грн
1000+9.00 грн
3000+7.81 грн
6000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G NTR2101PT1G Виробник : ONSEMI 2310584.pdf Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 49457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+36.65 грн
50+21.62 грн
100+13.86 грн
500+10.77 грн
1500+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G NTR2101PT1G Виробник : ONSEMI ntr2101p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -3A; 0.96W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1971 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.07 грн
13+22.31 грн
50+16.56 грн
100+14.79 грн
137+8.09 грн
375+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G NTR2101PT1G Виробник : onsemi ntr2101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 8V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 4 V
на замовлення 24616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.05 грн
13+23.95 грн
100+15.25 грн
500+10.76 грн
1000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G NTR2101PT1G
Код товару: 85974
Додати до обраних Обраний товар

ntr2101p-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G NTR2101PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.