Продукція > ONSEMI > NTR2101PT1G
NTR2101PT1G

NTR2101PT1G ONSEMI

2310584.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.54 грн
9000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTR2101PT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 960mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTR2101PT1G за ціною від 5.93 грн до 40.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTR2101PT1G NTR2101PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr2101pd.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G NTR2101PT1G Виробник : onsemi ntr2101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 8V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 4 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.79 грн
6000+7.70 грн
9000+7.31 грн
15000+6.45 грн
21000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G NTR2101PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr2101pd.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G NTR2101PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr2101pd.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3279+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 3279
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G NTR2101PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr2101pd.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.02 грн
6000+9.77 грн
9000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G NTR2101PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr2101pd.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
733+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 733
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G NTR2101PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr2101pd.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
708+18.24 грн
736+17.55 грн
1000+13.08 грн
Мінімальне замовлення: 708
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G NTR2101PT1G Виробник : onsemi NTR2101P-D.PDF MOSFETs -8V 3.7A P-Channel
на замовлення 77497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.25 грн
22+14.67 грн
100+9.55 грн
500+8.58 грн
1000+7.53 грн
3000+6.41 грн
6000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G NTR2101PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr2101pd.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+35.24 грн
38+19.64 грн
40+18.88 грн
100+13.56 грн
250+12.43 грн
500+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G NTR2101PT1G Виробник : onsemi ntr2101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 8V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 4 V
на замовлення 24616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.00 грн
13+23.34 грн
100+14.86 грн
500+10.48 грн
1000+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G NTR2101PT1G
Код товару: 85974
Додати до обраних Обраний товар
ntr2101p-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.