NTR3A052PZT1G ON Semiconductor
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTR3A052PZT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTR3A052PZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.033 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 720mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 720mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm.
Інші пропозиції NTR3A052PZT1G за ціною від 10.52 грн до 41.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTR3A052PZT1G | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NTR3A052PZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.033 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 720mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 720mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm |
на замовлення 8643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR3A052PZT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1243 pF @ 4 V |
на замовлення 1429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR3A052PZT1G | Виробник : onsemi |
MOSFET PFET SOT23 20V 52MO |
на замовлення 28423 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR3A052PZT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR3A052PZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.033 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 720mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm |
на замовлення 8643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTR3A052PZT1G | Виробник : ONSEMI |
NTR3A052PZT1G SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
NTR3A052PZT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1243 pF @ 4 V |
товару немає в наявності |