Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTR3A30PZT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTR3A30PZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 480mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm.
Інші пропозиції NTR3A30PZT1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NTR3A30PZT1G | ON Semiconductor |
 MOSFET PFET SOT23 20V 2.9A 38MOH |
на замовлення 5925 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
NTR3A30PZT1G | onsemi |
MOSFET PFET SOT23 20V 2.9A 38MOH |
на замовлення 37170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
NTR3A30PZT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR3A30PZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 480mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm |
на замовлення 1007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
NTR3A30PZT1G | ON Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| NTR3A30PZT1G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 2986 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTR3A30PZT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET PFET SOT23 20V 2.9A 38MOH
MOSFET PFET SOT23 20V 2.9A 38MOH
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NTR3A30PZT1G |
|
Виробник: onsemi
MOSFET PFET SOT23 20V 2.9A 38MOH
MOSFET PFET SOT23 20V 2.9A 38MOH
на замовлення 37170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NTR3A30PZT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR3A30PZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 480mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
Description: ONSEMI - NTR3A30PZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 480mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTR3A30PZT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3
Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTR3A30PZT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)