Продукція > ONSEMI > NTR3A30PZT1G
NTR3A30PZT1G

NTR3A30PZT1G onsemi

NTR3A30PZ_D-2319262.pdf
Виробник: onsemi
MOSFET PFET SOT23 20V 2.9A 38MOH
на замовлення 37170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.22 грн
10+43.54 грн
100+26.77 грн
500+22.38 грн
1000+19.03 грн
3000+16.94 грн
6000+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTR3A30PZT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTR3A30PZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 480mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm.

Інші пропозиції NTR3A30PZT1G за ціною від 20.99 грн до 66.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTR3A30PZT1G NTR3A30PZT1G Виробник : ONSEMI ntr3a30pz-d.pdf Description: ONSEMI - NTR3A30PZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 480mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+66.70 грн
15+54.99 грн
100+38.39 грн
500+28.48 грн
1000+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTR3A30PZT1G NTR3A30PZT1G Виробник : ON Semiconductor ntr3a30pz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3
на замовлення 6250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR3A30PZT1G NTR3A30PZT1G Виробник : ON Semiconductor NTR3A30PZ-D-272654.pdf MOSFET PFET SOT23 20V 2.9A 38MOH
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR3A30PZT1G NTR3A30PZT1G Виробник : ON Semiconductor ntr3a30pz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR3A30PZT1G Виробник : ON Semiconductor ntr3a30pz-d.pdf
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.