NTR3C21NZT1G ON Semiconductor
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.28 грн |
| 9000+ | 8.70 грн |
| 24000+ | 8.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTR3C21NZT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTR3C21NZT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.018 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 470mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NTR3C21NZT1G за ціною від 7.57 грн до 39.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTR3C21NZT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NTR3C21NZT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NTR3C21NZT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 16 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NTR3C21NZT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR3C21NZT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.018 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 470mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 13681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTR3C21NZT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTR3C21NZT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTR3C21NZT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTR3C21NZT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NTR3C21NZT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs 20 V SANYO T6 NCH IN |
на замовлення 208823 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTR3C21NZT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 16 V |
на замовлення 6010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTR3C21NZT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR3C21NZT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.018 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 470mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 13681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTR3C21NZT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
NTR3C21NZT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| NTR3C21NZT1G | Виробник : ONSEMI |
NTR3C21NZT1G SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |