NTR3C21NZT1G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.73 грн |
| 9000+ | 10.06 грн |
| 24000+ | 9.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTR3C21NZT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTR3C21NZT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.018 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 470mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NTR3C21NZT1G за ціною від 9.43 грн до 37.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTR3C21NZT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NTR3C21NZT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NTR3C21NZT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NTR3C21NZT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NTR3C21NZT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NTR3C21NZT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NTR3C21NZT1G | onsemi |
MOSFETs 20 V SANYO T6 NCH IN |
на замовлення 173536 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
NTR3C21NZT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR3C21NZT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.018 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 470mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 13681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
NTR3C21NZT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR3C21NZT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.018 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 470mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 13681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| NTR3C21NZT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.74 грн |
| 9000+ | 11.00 грн |
| 24000+ | 10.62 грн |
| NTR3C21NZT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 547+ | 25.83 грн |
| 633+ | 22.30 грн |
| 640+ | 22.07 грн |
| 792+ | 17.19 грн |
| 1031+ | 12.23 грн |
| 3000+ | 9.95 грн |
| 6000+ | 9.45 грн |
| NTR3C21NZT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 545+ | 25.94 грн |
| 664+ | 21.27 грн |
| 831+ | 17.00 грн |
| 1086+ | 12.54 грн |
| 3000+ | 9.82 грн |
| NTR3C21NZT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 28.08 грн |
| 30+ | 25.94 грн |
| 100+ | 21.27 грн |
| 500+ | 16.39 грн |
| 1000+ | 11.61 грн |
| 3000+ | 9.43 грн |
| NTR3C21NZT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 26+ | 29.69 грн |
| 29+ | 26.10 грн |
| 30+ | 25.83 грн |
| 100+ | 21.50 грн |
| 250+ | 19.71 грн |
| 500+ | 15.28 грн |
| 1000+ | 11.74 грн |
| 3000+ | 9.95 грн |
| 6000+ | 9.45 грн |
| NTR3C21NZT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 37.54 грн |
| 14+ | 22.29 грн |
| 100+ | 14.20 грн |
| 500+ | 10.03 грн |
| NTR3C21NZT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 20 V SANYO T6 NCH IN
MOSFETs 20 V SANYO T6 NCH IN
на замовлення 173536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NTR3C21NZT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR3C21NZT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.018 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NTR3C21NZT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.018 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTR3C21NZT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR3C21NZT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.018 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NTR3C21NZT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.018 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






