Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > NTR4003NT1G

NTR4003NT1G

ntr4003n-d.pdf
Код товару: 167522
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

у наявності: 2 шт
  • 2 шт - склад
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції NTR4003NT1G за ціною від 2.66 грн до 26.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTR4003NT1G NTR4003NT1G onsemi ntr4003n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.33 грн
6000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4003NT1G NTR4003NT1G ON Semiconductor ntr4003n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3827+3.70 грн
6000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 3827 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4003NT1G NTR4003NT1G ON Semiconductor ntr4003n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2468+5.73 грн
2637+5.37 грн
2836+4.99 грн
3068+4.45 грн
3341+3.78 грн
6000+3.31 грн
15000+2.98 грн
30000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 2468 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4003NT1G NTR4003NT1G ON Semiconductor ntr4003n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+6.86 грн
117+6.49 грн
124+6.11 грн
132+5.53 грн
250+4.79 грн
500+4.28 грн
1000+3.95 грн
3000+3.63 грн
6000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4003NT1G NTR4003NT1G ONSEMI NTR4003N.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.4A; 0.83W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10518 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.14 грн
74+5.64 грн
79+5.29 грн
100+5.10 грн
500+3.91 грн
1000+3.53 грн
1500+3.34 грн
3000+3.07 грн
9000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4003NT1G NTR4003NT1G ONSEMI ntr4003n-d.pdf Description: ONSEMI - NTR4003NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 560mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 45449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.37 грн
500+7.46 грн
1500+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4003NT1G NTR4003NT1G On Semiconductor ntr4003n-d.pdf MOSFET, N-Channel , SOT-23-3 Транзистори
на замовлення 80 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
30+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4003NT1G NTR4003NT1G onsemi ntr4003n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
на замовлення 36628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.05 грн
29+10.30 грн
100+6.39 грн
500+4.40 грн
1000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4003NT1G NTR4003NT1G onsemi ntr4003n-d.pdf MOSFETs NFET 30V .56A 1500M
на замовлення 4023 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.10 грн
24+13.23 грн
100+7.09 грн
500+5.51 грн
1000+4.82 грн
3000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4003NT1G NTR4003NT1G ONSEMI ntr4003n-d.pdf Description: ONSEMI - NTR4003NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 560mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 45449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+26.36 грн
74+10.93 грн
100+10.37 грн
500+7.46 грн
1500+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4003NT1G ON Semiconductor NTR4003N-D.PDF N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 500 мА, Ptot, Вт = 0,69, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 21 @ 5, Qg, нКл = 1,15 @ 5 В, Rds = 1,5 Ом @ 10 мA, 4 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 256 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4003NT1G ntr4003n-d.pdf
NTR4003NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.33 грн
6000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4003NT1G ntr4003n-d.pdf
NTR4003NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3827+3.70 грн
6000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 3827 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4003NT1G ntr4003n-d.pdf
NTR4003NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2468+5.73 грн
2637+5.37 грн
2836+4.99 грн
3068+4.45 грн
3341+3.78 грн
6000+3.31 грн
15000+2.98 грн
30000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 2468 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4003NT1G ntr4003n-d.pdf
NTR4003NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
110+6.86 грн
117+6.49 грн
124+6.11 грн
132+5.53 грн
250+4.79 грн
500+4.28 грн
1000+3.95 грн
3000+3.63 грн
6000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4003NT1G NTR4003N.PDF
NTR4003NT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.4A; 0.83W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10518 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
63+7.14 грн
74+5.64 грн
79+5.29 грн
100+5.10 грн
500+3.91 грн
1000+3.53 грн
1500+3.34 грн
3000+3.07 грн
9000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4003NT1G ntr4003n-d.pdf
NTR4003NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4003NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 560mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 45449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+10.37 грн
500+7.46 грн
1500+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4003NT1G ntr4003n-d.pdf
NTR4003NT1G
Виробник: On Semiconductor
MOSFET, N-Channel , SOT-23-3 Транзистори
на замовлення 80 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна
30+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4003NT1G ntr4003n-d.pdf
NTR4003NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
на замовлення 36628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+17.05 грн
29+10.30 грн
100+6.39 грн
500+4.40 грн
1000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4003NT1G ntr4003n-d.pdf
NTR4003NT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET 30V .56A 1500M
на замовлення 4023 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
15+22.10 грн
24+13.23 грн
100+7.09 грн
500+5.51 грн
1000+4.82 грн
3000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4003NT1G ntr4003n-d.pdf
NTR4003NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4003NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 560mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 45449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
31+26.36 грн
74+10.93 грн
100+10.37 грн
500+7.46 грн
1500+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4003NT1G NTR4003N-D.PDF
Виробник: ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 500 мА, Ptot, Вт = 0,69, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 21 @ 5, Qg, нКл = 1,15 @ 5 В, Rds = 1,5 Ом @ 10 мA, 4 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 256 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 256 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

MX-503398-1892
Код товару: 89065
Додати до обраних Обраний товар
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Роз'єми для карт SIM, microSIM, SD, microSD, Smart
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
51021-0400
Код товару: 77720
Додати до обраних Обраний товар
description mx51021ftg45.pdf
51021-0400
Виробник: Molex
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Контактів: 4; Крок: 1,25 мм
Вилка/гніздо: Гніздо
К-сть контактів: 4
Крок контактів: 1,25 mm
Монтаж: на провід
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
4,7 kOhm 5% 1/16W 50V 0402 (RC0402JR-074K7L-Yageo)
Код товару: 72180
Додати до обраних Обраний товар
4,7 kOhm 5% 1/16W 50V 0402 (RC0402JR-074K7L-Yageo)
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0402
Номінал: 4,7 kOhm
Точність: ±5% J
Pном.,W: 1/16 W
Uроб.,V: 50 V
Типорозмір: 0402
товару немає в наявності
КількістьЦіна
100+0.20 грн
1000+0.05 грн
10000+0.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2,2uF 100V X7R 10% 1210 (CL32B225KCJSNNE-Samsung)
Код товару: 56204
Додати до обраних Обраний товар
2,2uF 100V X7R 10% 1210 (CL32B225KCJSNNE-Samsung)
Керамічні SMD конденсатори > 1210
Ємність: 2,2 µF
Номін.напруга: 100 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1210
товару немає в наявності
КількістьЦіна
10+6.50 грн
100+5.90 грн
1000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4,7uF 6,3V X5R 10% 0603 (CL10A475KQ8NNNC-Samsung)
Код товару: 50674
2 Додати до обраних Обраний товар
cl_series_mlcc_datasheet.pdf
4,7uF 6,3V X5R 10% 0603 (CL10A475KQ8NNNC-Samsung)
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 4,7 µF
Номін.напруга: 6,3 V
Діелектрик: X5R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
у наявності: 9520 шт
  • 9400 шт - склад
  • 120 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
20+1.30 грн
100+1.00 грн
1000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.