Інші пропозиції NTR4003NT1G за ціною від 2.65 грн до 24.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTR4003NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NTR4003NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NTR4003NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NTR4003NT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.4A; 0.83W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.4A Power dissipation: 0.83W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 4238 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NTR4003NT1G | On Semiconductor |
MOSFET, N-Channel , SOT-23-3 Транзистори |
на замовлення 80 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NTR4003NT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 690mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V |
на замовлення 1388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NTR4003NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NTR4003NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 101005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NTR4003NT1G | onsemi |
MOSFETs NFET 30V .56A 1500M |
на замовлення 59409 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
NTR4003NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4003NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1.5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 560mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 830mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm |
на замовлення 45389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
NTR4003NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4003NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1.5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 560mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 830mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm |
на замовлення 45389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTR4003NT1G | ON Semiconductor |
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 500 мА, Ptot, Вт = 0,69, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 21 @ 5, Qg, нКл = 1,15 @ 5 В, Rds = 1,5 Ом @ 10 мA, 4 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 256 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| NTR4003NT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4425+ | 3.19 грн |
| NTR4003NT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.16 грн |
| 6000+ | 3.81 грн |
| NTR4003NT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1502+ | 9.40 грн |
| 1517+ | 9.30 грн |
| 2397+ | 5.89 грн |
| 2420+ | 5.62 грн |
| 3158+ | 3.99 грн |
| 6000+ | 2.65 грн |
| NTR4003NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.4A; 0.83W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.4A; 0.83W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4238 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 46+ | 9.91 грн |
| 62+ | 6.78 грн |
| 80+ | 5.29 грн |
| 100+ | 4.94 грн |
| 500+ | 4.40 грн |
| 1000+ | 3.82 грн |
| 1500+ | 3.53 грн |
| 3000+ | 3.10 грн |
| NTR4003NT1G |
![]() |
Виробник: On Semiconductor
MOSFET, N-Channel , SOT-23-3 Транзистори
MOSFET, N-Channel , SOT-23-3 Транзистори
на замовлення 80 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 10.48 грн |
| NTR4003NT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 17.99 грн |
| 29+ | 10.62 грн |
| 100+ | 6.60 грн |
| 500+ | 4.54 грн |
| 1000+ | 4.00 грн |
| NTR4003NT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 31+ | 24.46 грн |
| 50+ | 15.15 грн |
| 51+ | 15.00 грн |
| 100+ | 9.06 грн |
| 250+ | 8.31 грн |
| 500+ | 5.05 грн |
| 1000+ | 5.00 грн |
| 3000+ | 3.83 грн |
| 6000+ | 2.65 грн |
| NTR4003NT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 101005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 31+ | 24.94 грн |
| 49+ | 15.45 грн |
| 100+ | 9.58 грн |
| 500+ | 6.79 грн |
| 1000+ | 5.54 грн |
| 3000+ | 3.39 грн |
| 6000+ | 3.10 грн |
| NTR4003NT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET 30V .56A 1500M
MOSFETs NFET 30V .56A 1500M
на замовлення 59409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NTR4003NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4003NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 560mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
Description: ONSEMI - NTR4003NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 560mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 45389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTR4003NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4003NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 560mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
Description: ONSEMI - NTR4003NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 560mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 45389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTR4003NT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 500 мА, Ptot, Вт = 0,69, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 21 @ 5, Qg, нКл = 1,15 @ 5 В, Rds = 1,5 Ом @ 10 мA, 4 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 500 мА, Ptot, Вт = 0,69, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 21 @ 5, Qg, нКл = 1,15 @ 5 В, Rds = 1,5 Ом @ 10 мA, 4 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 256 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.22 грн |
З цим товаром купують
| MX-503398-1892 Код товару: 89065
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 51021-0400 Код товару: 77720
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Molex
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Контактів: 4; Крок: 1,25 мм
Вилка/гніздо: Гніздо
К-сть контактів: 4
Крок контактів: 1,25 мм
Монтаж: На провід
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Контактів: 4; Крок: 1,25 мм
Вилка/гніздо: Гніздо
К-сть контактів: 4
Крок контактів: 1,25 мм
Монтаж: На провід
товару немає в наявності
очікується: 110 шт
- 100 шт - очікується 20.07.2026
- 10 шт - очікується
| 4,7 kOhm 5% 1/16W 50V 0402 (RC0402JR-074K7L-Yageo) Код товару: 72180
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0402
Номінал: 4,7 кОм
Точність: ±5% J
Pном.,Вт: 1/16 Вт
Uроб.,В: 50 В
Типорозмір: 0402
SMD резистори > 0402
Номінал: 4,7 кОм
Точність: ±5% J
Pном.,Вт: 1/16 Вт
Uроб.,В: 50 В
Типорозмір: 0402
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.20 грн |
| 1000+ | 0.05 грн |
| 10000+ | 0.03 грн |
| 2,2uF 100V X7R 10% 1210 (CL32B225KCJSNNE-Samsung) Код товару: 56204
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 6.50 грн |
| 100+ | 5.90 грн |
| 1000+ | 5.40 грн |
| 4,7uF 6,3V X5R 10% 0603 (CL10A475KQ8NNNC-Samsung) Код товару: 50674
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 4,7 мкФ
Номін.напруга: 6,3 В
Діелектрик: X5R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 4,7 мкФ
Номін.напруга: 6,3 В
Діелектрик: X5R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 7860 шт
- 7740 шт - склад
- 120 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.30 грн |
| 100+ | 1.00 грн |
| 1000+ | 0.80 грн |












