Інші пропозиції NTR4003NT1G за ціною від 2.27 грн до 22.78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTR4003NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 354000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTR4003NT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 690mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V |
на замовлення 207000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTR4003NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTR4003NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 560mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 73825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTR4003NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 56587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTR4003NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 56587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTR4003NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.56A; 0.69W; SOT23 Power dissipation: 0.69W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.56A On-state resistance: 2Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 1.15nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 6627 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTR4003NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 23445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTR4003NT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 690mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V |
на замовлення 207285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTR4003NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 560mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 66090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTR4003NT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 138544 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTR4003NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.56A; 0.69W; SOT23 Power dissipation: 0.69W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.56A On-state resistance: 2Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 1.15nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6627 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTR4003NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
NTR4003NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
SMBJ28CA-E3/52 Код товару: 150794
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
1uF 6,3V 10% X5R 0402 (CL05A105KQ5NNNC) Код товару: 73177
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0402
Номінал: 1 µF
Ном.напруга: 6,3 V
Діелектрик: X5R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0402
Керамічні SMD конденсатори > 0402
Номінал: 1 µF
Ном.напруга: 6,3 V
Діелектрик: X5R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0402
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 1.00 грн |
100+ | 0.30 грн |
1000+ | 0.20 грн |
10 kOhm, ±1% NTC термістор 0603 (NCP18XH103F03RB Код товару: 63061
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Murata
Пасивні компоненти > Термістори
Опис: Термістор NTC, 10 kOhm, 1%
Опір: 10 kOhm
Застосування: Вимірювальні
Струм,макс.: 0.031A
Тип: NTC
Розмір: 0603
Пасивні компоненти > Термістори
Опис: Термістор NTC, 10 kOhm, 1%
Опір: 10 kOhm
Застосування: Вимірювальні
Струм,макс.: 0.031A
Тип: NTC
Розмір: 0603
у наявності: 713 шт
373 шт - склад
59 шт - РАДІОМАГ-Київ
84 шт - РАДІОМАГ-Львів
40 шт - РАДІОМАГ-Харків
57 шт - РАДІОМАГ-Одеса
100 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
59 шт - РАДІОМАГ-Київ
84 шт - РАДІОМАГ-Львів
40 шт - РАДІОМАГ-Харків
57 шт - РАДІОМАГ-Одеса
100 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 3.50 грн |
10+ | 3.00 грн |
100+ | 2.70 грн |
2,2uF 100V X7R 10% 1206 (12061C225KAT2A-AVX) (конденсаторы керамические SMD) Код товару: 54671
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: AVX
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 2,2 µF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 2,2 µF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
10uF 50V X5R 10% 1206 (CL31A106KBHNNNE-Samsung) Код товару: 52241
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X5R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X5R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
у наявності: 9052 шт
6907 шт - склад
602 шт - РАДІОМАГ-Київ
158 шт - РАДІОМАГ-Львів
1385 шт - РАДІОМАГ-Одеса
602 шт - РАДІОМАГ-Київ
158 шт - РАДІОМАГ-Львів
1385 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 5.60 грн |
100+ | 5.00 грн |
1000+ | 4.20 грн |