| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1904+ | 6.80 грн |
| 5000+ | 5.11 грн |
| 10000+ | 5.00 грн |
| 30000+ | 4.76 грн |
| 50000+ | 4.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTR4003NT3G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTR4003NT3G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 560mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTR4003NT3G за ціною від 3.48 грн до 24.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTR4003NT3G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR4003NT3G | Виробник : On Semiconductor |
MOSFET, N-Channel , SOT-23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR4003NT3G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4003NT3G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 560mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 14514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR4003NT3G | Виробник : onsemi |
MOSFETs NFET 30V .56A 1500M |
на замовлення 4465 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR4003NT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR4003NT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
NTR4003NT3G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 690mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NTR4003NT3G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 690mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
NTR4003NT3G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.4A; 0.83W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.4A Power dissipation: 0.83W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |