на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 2.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTR4003NT3G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTR4003NT3G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 560mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NTR4003NT3G за ціною від 2.76 грн до 23.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTR4003NT3G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NTR4003NT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NTR4003NT3G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 690mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V |
на замовлення 200000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NTR4003NT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NTR4003NT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 16264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NTR4003NT3G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4003NT3G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 560mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 19229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NTR4003NT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 16264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NTR4003NT3G | Виробник : onsemi |
MOSFETs NFET 30V .56A 1500M |
на замовлення 394265 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NTR4003NT3G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 690mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V |
на замовлення 204862 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| NTR4003NT3G | Виробник : On Semiconductor |
MOSFET, N-Channel , SOT-23-3 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| NTR4003NT3G | Виробник : ONSEMI |
NTR4003NT3G SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |