Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTR4101PT1G
NTR4101PT1G

NTR4101PT1G ON Semiconductor

ntr4101p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTR4101PT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 730mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTR4101PT1G за ціною від 2.84 грн до 27.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3417+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 3417
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5264+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 5264
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5264+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 5264
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 387000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.00 грн
9000+3.36 грн
24000+3.27 грн
45000+3.12 грн
99000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.15 грн
9000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Виробник : onsemi ntr4101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.37 грн
6000+5.39 грн
9000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 387000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.43 грн
9000+3.60 грн
24000+3.50 грн
45000+3.35 грн
99000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1868+6.48 грн
1892+6.40 грн
1919+6.31 грн
1944+6.01 грн
1972+5.49 грн
3000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 1868
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1857+6.52 грн
1875+6.46 грн
1894+6.40 грн
1916+6.10 грн
3000+5.59 грн
6000+5.31 грн
15000+5.25 грн
30000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 1857
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.57 грн
9000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
98+7.13 грн
99+7.04 грн
100+6.95 грн
101+6.62 грн
250+6.04 грн
500+5.73 грн
1000+5.64 грн
3000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
97+7.14 грн
99+7.06 грн
100+6.74 грн
250+6.18 грн
500+5.87 грн
1000+5.81 грн
3000+5.75 грн
6000+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.63 грн
6000+7.54 грн
9000+6.49 грн
12000+6.21 грн
27000+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Виробник : ONSEMI 2255278.pdf Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 48774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+9.85 грн
1500+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE591CCD84FB8864469&compId=ntr4101.pdf?ci_sign=fbfb8af33574955611661724f77d3c1560fda68d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.7A; 0.21W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.7A
Power dissipation: 0.21W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.5nC
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+12.72 грн
38+10.40 грн
41+9.69 грн
53+7.47 грн
100+6.65 грн
244+3.79 грн
671+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE591CCD84FB8864469&compId=ntr4101.pdf?ci_sign=fbfb8af33574955611661724f77d3c1560fda68d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.7A; 0.21W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.7A
Power dissipation: 0.21W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.27 грн
23+12.96 грн
25+11.63 грн
50+8.96 грн
100+7.98 грн
244+4.55 грн
671+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G
Код товару: 41668
Додати до обраних Обраний товар

ntr4101p-d.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Виробник : onsemi NTR4101P_D-1814409.pdf MOSFETs -20V -3.2A P-Channel
на замовлення 354167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+26.02 грн
21+17.04 грн
100+7.71 грн
1000+6.96 грн
3000+4.76 грн
9000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Виробник : onsemi ntr4101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 10 V
на замовлення 9217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.17 грн
20+16.38 грн
100+10.96 грн
500+7.68 грн
1000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Виробник : ONSEMI ntr4101p-d.pdf Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 39469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+27.65 грн
50+18.41 грн
100+13.32 грн
500+9.61 грн
1500+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G Виробник : ON-Semicoductor ntr4101p-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 2,4A; 730mW; -55°C ~ 150°C; NTR4101PT1G TNTR4101p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.