Технічний опис NTR4101PT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 730mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTR4101PT1G за ціною від 3.03 грн до 29.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTR4101PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NTR4101PT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 10 V |
на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTR4101PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTR4101PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTR4101PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 387000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTR4101PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTR4101PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 387000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTR4101PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTR4101PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 57468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTR4101PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTR4101PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTR4101PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 57468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTR4101PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NTR4101PT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 48774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NTR4101PT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.7A; 0.21W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.7A Gate charge: 7.5nC On-state resistance: 0.21Ω Power dissipation: 0.21W Gate-source voltage: ±8V Polarisation: unipolar Case: SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD |
на замовлення 9165 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NTR4101PT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs -20V -3.2A P-Channel |
на замовлення 354167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NTR4101PT1G Код товару: 41668
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||||||
|
|
NTR4101PT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 36545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTR4101PT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 10 V |
на замовлення 132570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| NTR4101PT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 2,4A; 730mW; -55°C ~ 150°C; NTR4101PT1G TNTR4101p кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| NTR4101PT1G | Виробник : On Semiconductor |
MOSFET, P-CH, 20V, 70 mOM, 0.73 W, SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
| NTR4101PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 1,8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 675, Qg, нКл = 8,5, Rds = 85 мОм, Ugs(th) = 1,2, Р, Вт = 0,42, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |