Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 > NTR4101PT1G
NTR4101PT1G

NTR4101PT1G

ntr4101p-d.pdf
Код товару: 41668
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції NTR4101PT1G за ціною від 3.27 грн до 29.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3417+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 3417
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Виробник : onsemi ntr4101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 10 V
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.10 грн
6000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5264+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 5264
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5264+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 5264
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 387000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.90 грн
9000+3.86 грн
24000+3.76 грн
45000+3.59 грн
99000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 387000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.90 грн
9000+3.86 грн
24000+3.76 грн
45000+3.59 грн
99000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.05 грн
9000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.06 грн
9000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1868+7.45 грн
1892+7.36 грн
1919+7.26 грн
1944+6.91 грн
1972+6.31 грн
3000+5.97 грн
Мінімальне замовлення: 1868
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1857+7.50 грн
1875+7.43 грн
1894+7.35 грн
1916+7.01 грн
3000+6.42 грн
6000+6.10 грн
15000+6.04 грн
30000+5.97 грн
Мінімальне замовлення: 1857
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
98+7.65 грн
99+7.56 грн
100+7.45 грн
101+7.10 грн
250+6.48 грн
500+6.14 грн
1000+6.05 грн
3000+5.97 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
97+7.66 грн
99+7.57 грн
100+7.23 грн
250+6.63 грн
500+6.30 грн
1000+6.23 грн
3000+6.17 грн
6000+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.77 грн
6000+8.67 грн
9000+7.46 грн
12000+7.14 грн
27000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Виробник : ONSEMI 2255278.pdf Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 48774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+9.40 грн
1500+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Виробник : ONSEMI ntr4101.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.7A; 0.21W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.7A
Gate charge: 7.5nC
On-state resistance: 0.21Ω
Power dissipation: 0.21W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
на замовлення 9165 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+23.38 грн
25+17.37 грн
28+15.12 грн
50+10.69 грн
100+9.44 грн
500+7.27 грн
1000+6.35 грн
1500+5.85 грн
3000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Виробник : onsemi NTR4101P_D-1814409.pdf MOSFETs -20V -3.2A P-Channel
на замовлення 354167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.88 грн
21+15.64 грн
100+7.08 грн
1000+6.38 грн
3000+4.37 грн
9000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Виробник : ONSEMI ntr4101p-d.pdf Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 36545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+27.44 грн
50+17.24 грн
100+13.11 грн
500+9.25 грн
1500+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Виробник : onsemi ntr4101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 10 V
на замовлення 132570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.66 грн
17+17.81 грн
100+11.24 грн
500+7.87 грн
1000+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G Виробник : ON-Semiconductor ntr4101p-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 2,4A; 730mW; -55°C ~ 150°C; NTR4101PT1G TNTR4101p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G Виробник : On Semiconductor NTR4101P-D.pdf MOSFET, P-CH, 20V, 70 mOM, 0.73 W, SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G Виробник : ON Semiconductor NTR4101P-D.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 1,8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 675, Qg, нКл = 8,5, Rds = 85 мОм, Ugs(th) = 1,2, Р, Вт = 0,42, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.