Продукція > ONSEMI > NTR4101PT1H
NTR4101PT1H

NTR4101PT1H onsemi

ntr4101p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.18 грн
6000+8.80 грн
9000+8.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTR4101PT1H onsemi

Description: ONSEMI - NTR4101PT1H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV, Verlustleistung: 730mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm.

Інші пропозиції NTR4101PT1H за ціною від 6.24 грн до 42.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTR4101PT1H NTR4101PT1H ON Semiconductor 2915ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.40 грн
6000+12.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1H NTR4101PT1H ON Semiconductor 2915ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.43 грн
6000+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1H NTR4101PT1H ON Semiconductor 2915ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.41 грн
6000+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1H NTR4101PT1H ON Semiconductor 2915ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.02 грн
43+17.58 грн
100+9.28 грн
500+8.86 грн
1000+7.76 грн
3000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1H NTR4101PT1H onsemi ntr4101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 10 V
на замовлення 13365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
14+22.72 грн
100+15.97 грн
500+12.02 грн
1000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1H NTR4101PT1H ON Semiconductor 2915ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.85 грн
25+30.89 грн
29+26.56 грн
100+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1H NTR4101PT1H onsemi NTR4101P_D-231175.pdf MOSFETs PFET SOT23 20V 32A 85MO
на замовлення 8534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1H NTR4101PT1H ONSEMI 2255278.pdf Description: ONSEMI - NTR4101PT1H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
Verlustleistung: 730mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1H NTR4101PT1H ON Semiconductor 2915ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1H NTR4101PT1H ONSEMI 2255278.pdf Description: ONSEMI - NTR4101PT1H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
Verlustleistung: 730mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1H 2915ntr4101p-d.pdf
NTR4101PT1H
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.40 грн
6000+12.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1H 2915ntr4101p-d.pdf
NTR4101PT1H
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.43 грн
6000+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1H 2915ntr4101p-d.pdf
NTR4101PT1H
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.41 грн
6000+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1H 2915ntr4101p-d.pdf
NTR4101PT1H
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+27.02 грн
43+17.58 грн
100+9.28 грн
500+8.86 грн
1000+7.76 грн
3000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1H ntr4101p-d.pdf
NTR4101PT1H
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 10 V
на замовлення 13365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.06 грн
14+22.72 грн
100+15.97 грн
500+12.02 грн
1000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1H 2915ntr4101p-d.pdf
NTR4101PT1H
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+42.85 грн
25+30.89 грн
29+26.56 грн
100+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1H NTR4101P_D-231175.pdf
NTR4101PT1H
Виробник: onsemi
MOSFETs PFET SOT23 20V 32A 85MO
на замовлення 8534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1H 2255278.pdf
NTR4101PT1H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4101PT1H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
Verlustleistung: 730mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1H 2915ntr4101p-d.pdf
NTR4101PT1H
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1H 2255278.pdf
NTR4101PT1H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4101PT1H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
Verlustleistung: 730mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.