Результат пошуку "ntr4170nt1g." : 9

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTR4170NT1G NTR4170NT1G ONSEMI ntr4170n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+28.38 грн
24+16.59 грн
50+12.48 грн
100+11.08 грн
101+9.07 грн
276+8.60 грн
1000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G ONSEMI 2354103.pdf Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+33.31 грн
50+19.87 грн
100+12.27 грн
500+11.08 грн
1500+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G ON Semiconductor ntr4170n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.53 грн
6000+8.40 грн
9000+8.13 грн
12000+7.80 грн
27000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G ONSEMI 2354103.pdf Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.27 грн
500+11.08 грн
1500+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G ON Semiconductor ntr4170n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 309000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.60 грн
9000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G ON Semiconductor ntr4170n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 309000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.03 грн
9000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G ON Semiconductor ntr4170n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+16.31 грн
53+11.41 грн
100+7.22 грн
1000+6.68 грн
3000+5.48 грн
6000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G ONSEMI ONSM-S-A0011214882-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G ON Semiconductor ntr4170n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
994+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 994
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G ntr4170n-d.pdf
NTR4170NT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+28.38 грн
24+16.59 грн
50+12.48 грн
100+11.08 грн
101+9.07 грн
276+8.60 грн
1000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G 2354103.pdf
NTR4170NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+33.31 грн
50+19.87 грн
100+12.27 грн
500+11.08 грн
1500+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G ntr4170n-d.pdf
NTR4170NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.53 грн
6000+8.40 грн
9000+8.13 грн
12000+7.80 грн
27000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G 2354103.pdf
NTR4170NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.27 грн
500+11.08 грн
1500+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G ntr4170n-d.pdf
NTR4170NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 309000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.60 грн
9000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G ntr4170n-d.pdf
NTR4170NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 309000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.03 грн
9000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G ntr4170n-d.pdf
NTR4170NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+16.31 грн
53+11.41 грн
100+7.22 грн
1000+6.68 грн
3000+5.48 грн
6000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G ONSM-S-A0011214882-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTR4170NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G ntr4170n-d.pdf
NTR4170NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
994+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 994
В кошику  од. на суму  грн.